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王莉

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇SOI
  • 1篇终端
  • 1篇终端技术
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇结终端
  • 1篇结终端技术
  • 1篇抗辐射
  • 1篇硅化钛
  • 1篇保护环
  • 1篇PN结
  • 1篇SEU
  • 1篇场板

机构

  • 3篇辽宁大学
  • 2篇东北微电子研...

作者

  • 3篇王莉
  • 3篇宋哲
  • 2篇永福
  • 2篇石广源
  • 1篇陆剑侠
  • 1篇许仲德
  • 1篇宋文斌
  • 1篇赵贵勇
  • 1篇张丽
  • 1篇王芳

传媒

  • 2篇辽宁大学学报...
  • 1篇微处理机

年份

  • 3篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SOI自对准硅化钛工艺研究被引量：1
2005年
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.
石广源王莉宋哲永福张丽王芳
关键词：SOI硅化钛自对准工艺
新型PN结终端技术的研究被引量：1
2005年
在场板工作机理的基础上阐述了一种新型的场板和保护环相结合的P-N结终端技术的工作原理.最后讨论了此终端结构的可行性.
石广源永福宋文斌赵贵勇王莉宋哲
关键词：场板保护环结终端技术
SEU的二维数值模拟被引量：1
2005年
本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍。运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single -Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性。
宋哲王莉陆剑侠许仲德
关键词：SOI抗辐射
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