您的位置： 专家智库 > >

盛兴

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇旋转阳极
  • 6篇真空电子
  • 6篇球管
  • 6篇CT球管
  • 4篇散热
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 3篇速调管
  • 3篇管壳
  • 2篇弹性金属
  • 2篇电场
  • 2篇电真空
  • 2篇电真空器件
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝陶瓷
  • 2篇真空器件
  • 2篇陶瓷
  • 2篇金属
  • 2篇击穿
  • 2篇光学

机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇盛兴
  • 10篇王瑞海
  • 7篇寇建勇
  • 7篇王宁红
  • 2篇胡晓斌
  • 2篇孙福江
  • 2篇韦莹
  • 2篇李冬凤
  • 2篇储开荣
  • 2篇冯海平
  • 1篇李泽普

传媒

  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2009
  • 1篇2005
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种采用金属‑陶瓷封接的CT球管
本发明公开了一种采用金属‑陶瓷封接的CT球管，属于真空电子医疗器件领域。所述CT球管主要包括管壳，连接于所述管壳内的旋转阳极靶以及位于所述管壳内且与所述旋转阳极靶位置相对应的阴极；其中，旋转阳极靶通过轴承与管壳连接；所述...
盛兴王瑞海王宁红寇建勇
文献传递
采用弹性金属纤维和石墨烯增强散热的旋转阳极CT球管
本发明公开了一种采用弹性金属纤维和石墨烯增强散热的旋转阳极CT球管，属于真空电子医疗器件领域。所述CT球管主要包括管壳，连接于所述管壳内的旋转阳极靶以及位于管壳内且与旋转阳极靶位置相对应的阴极；旋转阳极靶通过轴承与管壳连...
盛兴王瑞海王宁红寇建勇
文献传递
一种采用石墨烯增强散热的旋转阳极CT球管
本发明公开了一种采用石墨烯增强散热的旋转阳极CT球管，属于真空电子医疗器件领域。所述CT球管主要包括管壳，连接于所述管壳内的旋转阳极靶以及位于所述管壳内且与所述旋转阳极靶位置相对应的阴极；其中，旋转阳极靶通过轴承与管壳连...
盛兴王瑞海王宁红寇建勇
文献传递
一种采用石墨烯增强散热的旋转阳极CT球管
本发明公开了一种采用石墨烯增强散热的旋转阳极CT球管，属于真空电子医疗器件领域。所述CT球管主要包括管壳，连接于所述管壳内的旋转阳极靶以及位于所述管壳内且与所述旋转阳极靶位置相对应的阴极；其中，旋转阳极靶通过轴承与管壳连...
盛兴王瑞海王宁红寇建勇
一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法
本发明公开了一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成铬膜；在湿氢氛围中，将形成有铬膜的该衬底于900～1300℃温度下保温至铬膜完全氧化成氧化铬膜。该方法降低了在电真空器件上形成...
储开荣刘晓芳盛兴李冬凤
一种利用热管主动散热的固定靶X射线管
本发明公开了一种利用热管主动散热的固定靶X射线管，属于真空X射线管领域。所述X射线管主要包括管壳，连接于所述管壳内的固定阳极靶以及位于所述管壳内且与所述固定阳极靶位置相对应的阴极；所述固定阳极靶包括阳极固定靶基座以及固接...
盛兴王瑞海王宁红寇建勇
文献传递
Ku波段栅控多注速调管
本文简要介绍了一支Ku波段栅控多注速调管的研制情况,该管脉冲输出功率25kW,平均输出功率2.5kW,带宽260Mhz。本文主要介绍该管的设计思路,主要结构和测试结果。
韦莹盛兴王瑞海
关键词：KU波段多注速调管
文献传递
宽带小型多注速调管的研制
本文主要介绍了一支Ku波段千瓦级宽带小型多注速调管的研制进展,给出了采用CAD技术对各部分分析计算的结果,包括总体设计、电子光学设计、高频互作用段设计,最后与实验结果进行了对比验证,给出了改进方向.
盛兴李泽普孙福江冯海平王瑞海胡晓斌
关键词：宽带CAD光学设计
文献传递
S波段多注速调管一维大信号模拟
本文采用速调管一维大信号程序DISK对国外文献报道中的一支S波段多注速调管进行了设计模拟，;计算结果与文献中的MAGIC和TESLA设计结果进行了对比，取得了较好的一致性，得出在一定条件下一维DTSK程序的计算精度可以满...
盛兴
关键词：多注速调管
文献传递
一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法
本发明公开了一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成铬膜；在湿氢氛围中，将形成有铬膜的该衬底于900～1300℃温度下保温至铬膜完全氧化成氧化铬膜。该方法降低了在电真空器件上形成...
储开荣刘晓芳盛兴李冬凤
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0