秦祖新
- 作品数：12 被引量：7H指数：2
- 供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅片直接键合工艺中的热过程被引量：1
- 1993年
- 本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n^+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5μs。
- 曹广军秦祖新余跃辉彭昭廉
- 关键词：硅片直接键合击穿电压
- 功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化被引量：2
- 1991年
- 本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。
- 应建华刘三清秦祖新
- 关键词：场效应晶体管VDMOS导通电阻
- 通信LSI/VLSI工艺
- 1991年
- 本文介绍通信LSI/VLSI电路制作技术中目前比较通用的工艺。总的来说,通信电路工艺是以前LSI/VLSI22艺的继续和发展。文中论述的重点是那些和过去LSI/VLSI工艺不同的方面,而这些方面主要体现在模拟电路的制作工艺上。
- 刘三清秦祖新
- 关键词：通信LSI/VLSI
- 速度检测专用芯片电路的设计
- 1994年
- 对具有周期性运动特点的物体，采用计量周期运动时间以及通过周期运动行程与周期运动时间的除法运算可获得其运动速度，本文所论述的就是基于这个思想而进行的一种检测速度的新型电路设计方法。该设计采用集成芯片电路的设计方法，电路可由单片集成电路实现。电路主要由周期计时电路、周期数据预置电路、运算电路及时钟和时序等电路构成。这种电路用于速度检测，具有检测范围广和检测精度高的特点，速度测量范围可覆盖三个数量级，电路处理误差小于千分之一。
- 刘三清秦祖新曹广军应建华
- 关键词：电路设计
- 一种双扩散p阱nMOS器件新结构
- 1994年
- 本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理电路与衬底间的ｐｎ结隔离，并且隔离电压接近ＶＤＭＯＳ管的耐压。通过调节源、漏扩散窗口间距，可以在小范围内调整ｎＭＯＳ管的阈值电压。这种双扩散ｎＭＯＳ器件结构，特别适合于制作单驱动器件的ＭＯＳ功率集成电路。
- 秦祖新曹广军刘三清
- 关键词：MOS器件P阱
- VDMOSFET结构设计被引量：3
- 1991年
- 本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果.
- 刘刚刘三清秦祖新应建华
- 关键词：VDMOSFET半导体器件
- 通信电路:LSI/VLSI发展的新领域
- 1991年
- 本文介绍了通信技术和通信电路的发展情况,论述了通信技术和通信电路与通信LSI/VLSI发展的密切关系以及通信电路技术的特点;并通过实例说明通信LSI/VLSI中典型的电路和技术。
- 刘三清秦祖新
- 关键词：通信LSI/VLSI滤波器
- 新型高频VDMOS功率器件的研究
- 1991年
- 作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表面厚氧化层,不仅可以有效地减小C_(gd),而且可以减小C_(gs)。该方法简化了器件制作工艺并实现了自对准扩散。
- 秦祖新刘三清应建华
- 关键词：功率器件VDMOS高频器件
- MOS型硅功率器件的耐压与终端处理
- 1991年
- 本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。
- 秦祖新刘三清
- 关键词：功率器件集成电路硅器件
- MOS型硅功率器件平面终端结构
- 1992年
- 本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。
- 秦祖新刘三清
- 关键词：硅功率器件MOS器件终端结构
