翟亚红
- 作品数：59 被引量：40H指数：4
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路
- 本发明公开了一种过采样自举开关隔离驱动采样保持电路，属于模拟集成电路设计领域。对模拟信号的采样，是从模拟信号转换到数字信号的关键一步，对模拟信号采样的精确程度将直接影响后续数字编码的准确性。本发明基于栅压自举开关电路，提...
- 李大刚李泽宏李平翟亚红何弢杨绍澎
- 基于HSIM的铁电电容性能的研究
- 2012年
- 基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。
- 毕长红罗玉香胡滨翟亚红辜科
- 关键词：铁电电容铁电存储器
- 一种基于忆阻器实现的硬件卷积神经网络模型
- 本发明公开了一种利用忆阻器所构建的卷积神经网络模型，涉及半导体集成电路和神经网络领域。所提出的卷积神经网络系统核心为忆阻器组成的卷积层和全连接层，以及与之配套的数据编码方法。本发明利用了忆阻器可实现多电阻态的特性，将卷积...
- 翟亚红王健竹
- 抗辐照双极器件
- 抗辐照双极器件，涉及电子器件技术。本发明包括半导体区、设置于半导体区上方的绝缘介质区和电极，所述半导体区包括设置于衬底内的基区、发射区、P+欧姆接触区，发射区和P+欧姆接触区之间的区域为间隔区；在绝缘介质区和半导体区上表...
- 翟亚红杨峰李珍李威张国俊
- 具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件及其制备方法
- 一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的埋氧层，位于所述埋氧层之上的体硅层，位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区，位于体硅层之上的栅氧化层，位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构，所述栅...
- 翟亚红杨锋李珍李威李平
- 文献传递
- 铁电负电容可测试性的仿真研究
- 2019年
- 铁电材料具有负电容特性,可应用于新一代超低亚阈值摆幅晶体管中。由于铁电负电容具有准静态特性,在实际测试中,难以直接观测到单独铁电电容的负电容现象。基于“Ginzburg-Landau”模型,采用TCAD软件,构建了紧凑的HfO2铁电电容结构,并通过仿真获得了匹配的RC电路参数,验证了负电容特性。同时,仿真研究了外加电压幅值与串联电阻阻值对铁电电容负电容效应可测试性的影响。
- 王步冉李珍谭欣翟亚红
- 关键词：铁电材料
- 一种基于FPGA的RISC-V处理器上的实时操作系统移植方法
- 本申请提供了一种基于FPGA的RISC‑V处理器上的实时操作系统移植方法，其中，所述实时操作系统为开源FreeRTOS。基于FreeRTOS的源码编写例程，在一个基于FPGA的RISC‑V处理器上，以上传所述例程的方式，...
- 邓紫珊王忆文翟亚红
- 文献传递
- 铁电存储器的设计及工艺研究
- 本文通过对各种铁电材料以及电极材料的研究分析,在电极的设计中采用Pt/Ti/SiO<,2>/Si的下电极材料结构以及Pt/TiN的上电极材料.讨论了由于材料的影响而在存储器的应用中涉及到的疲劳、老化、印记等可靠性问题.本...
- 翟亚红
- 关键词：铁电薄膜铁电电容
- 文献传递
- 铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
- 2007年
- 在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响。实验结果表明:PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导(gm)明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常。
- 翟亚红李平张树人杨成韬阮爱武蔡道林欧阳帆陈彦宇
- 关键词：PZT薄膜铁电电容跨导
- SOI铁电负电容晶体管亚阈值特性研究被引量：1
- 2019年
- 随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体管基于铁电材料的负电容效应可有效地降低器件的亚阈值摆幅,从而降低器件的功耗。该文设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)结构的铁电负电容场效应晶体管,利用TCAD Sentaurus仿真工具对负电容晶体管进行仿真研究,得到了亚阈值摆幅为30.931 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构和参数。最后仿真研究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度对负电容场效应晶体管亚阈值特性的影响。
- 王步冉李珍谭欣翟亚红
- 关键词：铁电材料
