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董建荣

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子注入
  • 1篇集成电路
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS结构
  • 1篇V

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇董建荣
  • 1篇张德胜
  • 1篇史保华
  • 1篇赵策洲

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1994
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响被引量：4
1994年
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。
赵策洲董建荣张德胜史保华
关键词：载流子注入集成电路MOS
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