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谢书银

作品数：19 被引量：39H指数：4
供职机构：中南大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 15篇硅片
  • 10篇抗弯强度
  • 4篇单晶
  • 4篇机械强度
  • 3篇形变
  • 3篇直拉硅
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇载荷
  • 2篇塑性
  • 2篇塑性形变
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅
  • 2篇冲击载荷
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶制备
  • 1篇氮含量
  • 1篇氮磷
  • 1篇电力半导体
  • 1篇电力半导体器...

机构

  • 16篇中南工业大学
  • 6篇浙江大学
  • 3篇中南大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 19篇谢书银
  • 14篇石志仪
  • 5篇张锦心
  • 4篇李立本
  • 2篇万关良
  • 2篇李冀东
  • 2篇蔡爱军
  • 1篇佘思明
  • 1篇张维连
  • 1篇王红忠
  • 1篇余思明
  • 1篇王丙义

传媒

  • 5篇中南工业大学...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇Journa...
  • 3篇稀有金属
  • 3篇中国有色金属...
  • 1篇力学学报
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇1999
  • 5篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1996
  • 5篇1995
  • 2篇1993
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
圆片冲击法硅片强度测试中简支半径问题研究
1997年
分析了圆片冲击法硅片强度测试中简支半径对动载荷挠度及强度测试值的影响，实验求得直径50．8mm硅片抗弯强度测试值的校正系数为0．8．
谢书银王红忠
关键词：抗弯强度冲击载荷硅片
硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用被引量：15
1999年
按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程，阐述了择优与非择优腐蚀的机理，研究了一套硅片化腐新工艺。这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用。
谢书银
关键词：硅片化学腐蚀电力半导体器件
硅片塑性形变与位错被引量：3
1998年
通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。
谢书银袁鹏万关良李励本张锦心
关键词：硅片塑性形变位错
硅片的抗弯强度及其测量被引量：4
1995年
研究了硅片抗弯强度，提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．
谢书银石志仪
关键词：半导体器件硅片抗弯强度
高温工艺中硅片的翘曲被引量：3
1997年
通过硅片高温热处理实验研究了热处理工艺和硅片表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响，高温工艺中竖直装片引起的形变较小，研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。
谢书银石志仪陈中祥
关键词：硅片
硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究
1996年
推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式．通过薄硅片抗弯强度的测试实验，对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准，并研究了挠度、厚度比ω／δ与校准系数Ｋ的关系．结果表明，符合小挠度假设的范围是ω／δ≤１／７．
谢书银石志仪
关键词：抗弯强度硅片测试法
GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究
1998年
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。
谢书银石志仪李冀东
关键词：硅片抗弯强度集成电路
氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响
1998年
通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃，１．５ｈ后急冷热处理，研究了硅中氧、氮、磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响．实验结果表明，普通氩气氛下直拉单晶硅（ＡＣＺＳｉ）高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅（ＦＺＳｉ）的１／３左右．在含氮气氛下直拉硅（ＮＣＺＳｉ）中，氮含量为４．５×１０１５ｃｍ－３的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的１／３，重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多．
谢书银王丙义蔡爱军李立本张锦心
关键词：硅片高温形变
硅片高温工艺与塑性形变被引量：1
1998年
为减小硅片高温工艺中的形变，通过仿硅器件在１２００℃热处理１．５ｈ高温工艺热处理实验，研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响，实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的，快速加热对形变影响不大。急冷温度越高，硅片中心与边缘温差越大，因产生位错和滑移形成的塑性形变就越大，１２００℃急冷的弯曲度变化是７７０℃急冷的４倍，水平装片比竖直装片形变大，紧贴式装片比间隔式容易弯曲。采用降低急冷温度，由１２００℃缓慢降至７７０℃左右再急冷，配合竖直间隔方式装片和容器加盖等方法可减少高温工艺中硅片的形变。
谢书银万关良李立本张锦心
关键词：硅片塑性形变
含氮CZ硅力学行为研究被引量：2
1993年
用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。
石志仪谢书银佘思明李立本张锦心
关键词：单晶制备直拉硅
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