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谢茂海

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇半导体
  • 1篇电光
  • 1篇电光效应
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇谱特性
  • 1篇脉冲
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱特性
  • 1篇Δ掺杂
  • 1篇半导体材料
  • 1篇边缘区
  • 1篇DLTS
  • 1篇GAAS/G...
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇谢茂海
  • 2篇孔梅影
  • 1篇徐强
  • 1篇高季林
  • 1篇曾一平
  • 1篇徐仲英
  • 1篇江德生
  • 1篇周洁
  • 1篇林世鸣
  • 1篇郑宝真
  • 1篇王启明
  • 1篇吴荣汉
  • 1篇张权生
  • 1篇葛惟锟

传媒

  • 3篇Journa...

年份

  • 3篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量
1990年
本文提出了一种新的方法──“三脉冲DLTS”法,用于测量深能级的热俘获截面,目的在于消除使测量产生很大误差的边缘区效应的影响,最后用这种方法,对AlGaAs:Si中DX—中心的电子热俘获截面进行了测量,结合考虑大的深能级浓度这一因素,通过计算机的拟合过程,给出了非常令人满意的结果。
谢茂海高季林葛惟锟周洁
关键词：深能级半导体
GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究被引量：1
1990年
我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。
吴荣汉段海龙曾一平王启明林世鸣孔梅影张权生江德生谢茂海
量子阱中δ掺杂的光谱特性
1990年
用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算结果。
徐仲英谢茂海徐强郑宝真孔梅影
关键词：掺杂光谱特性半导体材料
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