邵凯
- 作品数：64 被引量：45H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- DC-40 GHz光通信系统用GaAs PHEMT驱动放大器。被引量：5
- 2006年
- 利用0.2μmGaAsPHEMT工艺研制了40Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器。该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40GHz,输入输出反射损耗约-10dB,功率增益14dB,功耗700mW,最大电压输出幅度达到7V。两级芯片级连后,功率增益约27dB,在40Gbit/s速率下得到清晰的眼图。
- 钱峰陈堂胜郑远李拂晓邵凯
- 关键词：宽带放大器
- 1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器
- 本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益G...
- 郑远吴健艾萱应海涛陈新宇钱峰邵凯
- 关键词：功率放大器芯片分析
- 文献传递
- 1×8线阵高温超导远红外热型探测器研制被引量：1
- 1992年
- 采用高质量的 YBCO 高温超导薄膜,研制成1×8线阵超导远红外热型探测器。测量了线阵中各单元器件的性能,结果表明:NEP 在10^(-11)WHz^(-1/2),D~*在10~8m·Hz^(1/2)·W^(-1)的范围内。
- 杨德嘉邵凯王吉云经东王子良刘心田石保安
- 关键词：高温超导远红外探测器
- 移动通讯用GaAs MMIC开关
- 采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs SPST开关集成电路,在0.9GHz,插入损耗小于0.7dB,隔离度大于45dB.产品性能指标达到国外同类产品,并可以形成批量生产能力.
- 陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉许正荣袁江龙邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓开关金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路
- 文献传递
- 824～849 MHz高效率InGaP/GaAs HBT CDMA手机功率放大器
- 利用InGaP/GaAs HBT技术研制了824～849 MHz手机功率放大器芯片.在3.4V工作电压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5％,ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP@1.98MHz为-68dB...
- 郑远钱峰应海涛翁长羽李拂晓邵凯
- 关键词：电路性能电流增益
- 文献传递
- DC～40GHz光纤通信用前置放大器
- 2005年
- 郑远钱峰陈堂胜李拂晓邵凯
- 关键词：光纤通信前置放大器带宽
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体集成电路产业发展及其应用
- 2003年
- 本文对以砷化镓为主的三、五族化合物半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表的三、五族化合物半导体集成电路因其优越的高频、高速性能而长期被用于军事电子装备,作为其高频前端的核心器件。
- 邵凯
- 关键词：集成电路产业砷化镓
- 一种超低插损砷化镓射频开关被引量：4
- 2003年
- 报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)
- 蒋幼泉李拂晓黄念宁钮利荣陈新宇邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓射频开关手机单刀双掷
- 高成品率砷化镓DPDT单片射频开关被引量：3
- 2003年
- 采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga
- 李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓射频开关单片开关GAAS
- 20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量：7
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉钱峰李拂晓邵凯叶玉堂
- 关键词：分布放大器噪声系数眼图
