郝颖萍
- 作品数：14 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 正电子湮没技术对热控涂层辐照效应及SmFeAsO1-xFx缺陷的研究
- 正电子湮没技术是一门将核物理、核技术应用于固体物理、材料科学、化学、生命科学等学科领域的技术。它以正电子作为探针，通过探测正反物质相遇发生湮没产生的r光子来研究固体的微观结构信息，主要包括正电子寿命谱仪（PALS）、多普...
- 郝颖萍
- 关键词：正电子湮没技术热控涂层质子辐照铁基超导体
- 文献传递
- 闪锌矿结构晶体的正电子体寿命计算
- 2010年
- 在局域密度近似理论(LDA)和广义梯度近似理论(GGA)的基础上,用中性原子叠加的方法(ATSUP),理论上对亚铜的卤化物(CuF除外,因为它不是闪锌矿结构)及某些硼化物进行计算,计算结果与实验符合得很好;其次,计算了其他具有闪锌矿结构的众多晶体的正电子体寿命,得到的结果与其他文献计算的结果符合得较好,文中以CuCl晶体为例,给出了正电子在其中的势能分布,概率密度分布与湮没率分布;最后,这些系统性的正电子体寿命结果被拟合成晶格常数的函数,拟合结果与其他一些文献的结果做了比较.
- 张杰陈祥磊郝颖萍叶邦角杜淮江
- 关键词：闪锌矿结构
- 反尖晶石结构磁性纳米Fe3O4材料的正电子湮没谱学研究
- 本文对磁性纳米Fe3O4样品进行了X射线衍射、正电子湮没寿命谱测量,研究了不同了压力、退火温度和退火气氛对磁性纳米Fe3O4样品的物相、缺陷等信息的影响。X射线衍射证实Fe3O4具有反尖晶石结构;正电子湮没
- 许红霞安然郝颖萍刘建党成斌孔伟韩荣典翁惠民叶邦角
- 关键词：正电子
- 纳米Fe_3O_4颗粒的正电子湮没谱学研究被引量：1
- 2011年
- 测量了磁性纳米Fe3O4颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe3O4颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响.XRD,PALS,CDBS测量结果表明:纳米Fe3O4颗粒的缺陷浓度随压力的增加而增大,但物相和缺陷类型并未发生变化;磁性纳米Fe3O4颗粒的物相、缺陷类型及缺陷数量随着退火温度的提高发生了显著的变化;大气环境中压成的纳米Fe3O4样品,相变发生在350—500℃范围内.随着退火温度的提高,纳米Fe3O4颗粒长大导致使界面缺陷数量减少、S参数变小、商谱高动量区的升高.
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- 关键词：正电子FE3O4
- 正电子湮没技术对SmFeAsO_(1-x)F_x缺陷的研究
- 正电子湮没技术是一门将核物理、核技术应用于固体物理、材料科学、化学、生命科学等学科领域的技术。它以正电子作为探针,通过探测正反物质相遇发生湮没产生的γ光子来研究固体的微观结构信息,主要包括正电子寿命谱仪(PALS)、多普...
- 郝颖萍
- 关键词：正电子湮没寿命谱慢正电子束热控涂层
- 文献传递
- 脉冲慢正电子束装置中的空间聚焦模拟
- 本文是基于中国科技大学核固体物理实验室最新研制的脉冲慢正电子束装置,使用光学离子模拟软件SIMION7.0对正电子在该装置中的加速、输运及聚焦情况做了模拟,最后给出了较好的空间聚焦模拟结果,使低能量(0.5keV～30k...
- 许红霞陈祥磊成斌熊涛高传波郝颖萍翁惠民叶邦角
- 关键词：SIMION斩波器
- 文献传递
- SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究
- 首次用正电子湮没技术研究了新的铁基高温超导体SmFeAsOF,测量了SmFeAsOF的常温正电子寿命谱以及随温度变化的多普勒展宽谱,并在广义梯度近似(GGA)基础上进行了正电子寿命计算,寿命测量值与理论计算值较吻合;母体...
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- 关键词：高温超导正电子寿命
- 文献传递
- SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究
- 首次用正电子湮没技术研究了新的铁基高温超导体SmFeAsOl-xFx,测量了SmFeAsOl-xFx的常温正电子寿命谱以及随温度变化的多普勒展宽谱,并在广义梯度近似(GGA)基础上进行了正电子寿命计算,寿命测量值与理论计...
- 郝颖萍陈祥磊成斌许红霞韩荣典翁惠民杜淮江叶邦角
- 关键词：高温超导正电子寿命
- 文献传递
- SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究
- 用正电子湮没技术研究了新的铁基高温超导体SmFeAsO1-xFx,测量了SmFeAsO1-xFx 的常温正电子寿命谱以及随温度变化的多普勒展宽谱,并在广义梯度近似(GGA)基础上进行了正电子寿命计算,寿命测量值与理论计算...
- 郝颖萍陈祥磊成斌许红霞韩荣典翁惠民杜淮江叶邦角
- 关键词：高温超导正电子寿命
- N2分压对TaN阻挡层沉积生长影响的慢正电子技术分析
- 集成电路的微型化使金属互联线间的电阻和电容所产生的寄生效应越来越明显,低介电常数材料(low-k)和铜(Cu)材料相结合,减小电路中的寄生电容,减少RC延时。但Cu易向介质内部扩散(APPLIED PHYSICS LET...
- 刘建党成斌郝颖萍翁惠民叶邦角
- 文献传递
