郭帅
- 作品数：18 被引量：11H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术生物学自动化与计算机技术更多>>
- 双波长垂直腔面发射激光器及特性研究被引量：1
- 2011年
- 基于光子晶体技术在一维光子晶体带隙内引入缺陷态模式,并对激光器谐振腔内部电磁场分布和共振波长进行调制,从而将单一波长分裂为双波长输出.最终制备出了一种新的具有双波长光谱输出特性的垂直腔面发射激光器,缺陷层为Al0.8Ga0.2As材料,厚度为5λ/4.所得到的双波长输出光谱具有低吸收损耗、输出波长容易控制及同方向垂直输出特性.同时,通过调整一维光子晶体的折射率差和缺陷层厚度可以有效调谐双波长的间距及输出波段.所设计的双波长垂直腔面发射激光器结构同样适合于其他光电子器件,如光开关、光放大器、调制器及光电探测器等.
- 关宝璐郭霞张敬兰任秀娟郭帅李硕揣东旭沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器光子带隙双波长
- Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量：2
- 2012年
- 采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。
- 郭帅周弘毅陈树华郭霞
- 关键词：感应耦合等离子体CL2/AR
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与...
- 郭霞关宝璐李川川郝聪霞任秀娟李硕郭帅周弘毅史国柱周治平陈树华
- 文献传递
- 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法
- 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、...
- 关宝璐郭霞张敬兰任秀娟郭帅李硕沈光地
- 文献传递
- 不同温度下GaAs/GaN键合结构CL谱的比较分析
- 白光发光二极管与其他光源相比具有高亮度、低损耗、长寿命等优点,而其中单芯片白光的研究被广泛关注.目前对制备单芯片白光的各种材料的研究已经取得了一定的进展,本文针对单芯片白光n+GaAs/ p+GaN直接键合结构做了进一步...
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- 一种高增益雪崩二极管
- 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温...
- 郭霞关宝璐周弘毅郭帅陈树华
- 垂直耦合腔面发射激光器光谱特性研究
- 垂直腔面发射激光器以其体积小、可集成、与光纤耦合效率高等优点在高密度信息光通信、传感、光谱分析和生物医学等领域有着重要的应用[1,2].本文设计了垂直耦合腔VCSEL结构,并对其光谱特性进行研究.图1为垂直耦合腔VCSE...
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- 具有宽调谐范围的微纳光机电系统可调谐垂直腔面发射激光器研究被引量：7
- 2011年
- 基于微纳机械技术设计得到了可调谐垂直腔面发射激光器结构,将具有Al0.8Ga0.2As牺牲层结构的DBR反射镜制备成微纳光机电系统,并与多量子阱有源区光纵向耦合结构相结合.其中,微纳光机电DBR结构不再是简单的分布布拉格反射镜,而是对光波具有高调制作用的可动微纳机械反射镜系统,并在静电力作用下可以动态调谐VCSEL谐振腔的激射波长.实验结果显示,当激光器调谐电压从0V增加到7V时,对应激射波长将从968.8nm蓝移到950nm,整个调谐范围达到了18.8nm,可调谐VCSEL器件表现出了优异的激光特性,并实现了波长连续可调.
- 关宝璐张敬兰任秀娟郭帅李硕揣东旭郭霞沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器波长可调谐
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
- 文献传递
- 偏振稳定垂直腔面发射激光器设计及分析
- 垂直腔面发射激光器(VCSEL)有单纵模、低阈值和光束近圆等优点.但随注入电流和工作温度的变化,VCSEL出射光偏振态会在两个正交偏振态上转换,有不可预测性.为实现偏振稳定激射,我们设计了一种表面刻蚀亚波长光栅的VCSE...
- 李硕关宝璐任秀娟郭帅李川川郝聪霞郭霞沈光地
