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郭祥

作品数：73 被引量：37H指数：4
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文献类型

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领域

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作者

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  • 2篇2012
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共 73 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞被引量：1
2016年
采用RHEED与STM技术对GaAs(001)-(2×6)表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现GaAs(001)-(2×6)重构表面是GaAs(001)-β2(2×4)重构表面经530℃,1.33μPa As BEP退火获得,在(2×6)重构下的GaAs(001)表面形貌已经进入表面存在系列单层岛和坑覆盖的无序平坦状态。为了进一步确定(2×6)重构的原胞结构,采用球棍模型对其原胞结构进行模拟,提出新的As表面覆盖率计算方法、结合STM图片分析对球棍模型进行验证和筛选,首次在实验上证实(2×6)重构原胞中存在2个As Dimers和2个Ga Dimers,并以此重构原胞结构构建理论下的(2×6)重构表面,获得结果与STM图片高度吻合。
周勋罗子江王继红郭祥丁召
关键词：表面形貌
低As压退火对GaAs(001)表面形貌与重构的影响
2015年
在低As压条件下退火处理原子级平坦的Ga As(001)β2(2×4)重构表面.利用扫描隧道显微镜对表面进行研究,发现随着低As压退火时间的延长,表面形貌与表面重构的演变同步进行.表面形貌经历了从有序平坦转变为无序平坦,然后逐渐恢复到有序平坦状态的过程.表面重构则由β2(2×4)重构逐渐转变为(2×6)重构,然后再转变为锯齿状的(2×6)重构,并且表面形貌与表面重构的演变存在一定的相互关系.
周勋罗子江王继红郭祥丁召
关键词：表面形貌
AlxIn1-xAs电子结构和光学性质的第一性原理研究
2019年
基于密度泛函理论,对各组分Alx In1-x As(x为0~1)的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,Alx In1-x As晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着Al组分x的增加,Alx In1-x As的禁带宽度变宽,且能带有从直接带隙结构转变为间接带隙结构的趋势.具有较高In组分的Alx In1-x As晶体在可见光区域中的光吸收能力更强,光谱响应范围更大.
张振东王一黄延彬李志宏杨晨杨晨罗子江丁召
关键词：电子结构光学性质第一性原理
一种多功能霍尔效应测试仪
本实用新型公开了一种多功能霍尔效应测试仪，包括：本体，所述本体上表面中部开有样品槽；液氮加液口，所述液氮加液口与样品槽内部连通，液氮加液口设置在本体侧部；第一永磁铁，所述第一永磁铁左右滑动安装在样品槽的正左侧；第二永磁铁...
王一郭祥王继红李军丽杨晨罗子江张正丽丁召
文献传递
一种STM探针针尖制备装置的探针往复推动机构
本实用新型公开了一种STM探针针尖制备装置的探针往复推动机构，包括：底座；伸缩机构本体，所述伸缩机构本体固定连接在底座上，伸缩机构本体上设有螺纹孔；丝杆，所述丝杆与螺纹孔相匹配，丝杆螺纹连接在螺纹孔上，丝杆右端与探针夹持...
王一郭祥王继红李军丽杨晨罗子江丁召
文献传递
RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究被引量：2
2013年
采用带有RHEED的MBE技术,在GaAs(001)单晶衬底上生长不同厚度(0 ML,4 ML,15 ML)的In0.53Ga0.47As外延层,实时监测RHEED衍射图像的演变过程,生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析。研究分析结果表明,随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加厚,RHEED衍射图像从最初的清晰明锐、重构可辨逐渐演变到背景模糊、条纹断裂,最后进入完全的网格状斑点状态;与此同时,对应的表面形貌也从原子级的有序平坦表面逐渐过渡到部分3D岛形成、粗糙度提高,最后表面完全由3D岛构成,表面进入粗糙状态。
王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
关键词：RHEEDSTM
一种STM探针针尖制备装置
本实用新型公开了一种STM探针针尖制备装置，包括：直流电源；底座；金属圈，金属圈位于探针夹持孔正前方，金属圈与直流电源的正极电连接；轻触开关，所述轻触开关串联在金属圈与直流电源之间；探针夹持座，所述探针夹持座上设有与探针...
王一郭祥王继红李军丽杨晨罗子江丁召
文献传递
基于液滴外延技术变Al、Ga组分对GaAs表面液滴生长形貌的影响
2022年
液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction, RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象进行了解释.
李家伟丁召丁召李耳士宋娟蒋冲王一罗子江王一
关键词：成核
RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
2011年
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召
关键词：MBERHEEDSTM
Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析被引量：2
2018年
在As_4束流等效压强为1.2×10^(-3)Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.
王一杨晨杨晨杨晨郭祥魏节敏王继红罗子江丁召
关键词：ALGAAS退火
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