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陈明祥

作品数:109 被引量:206H指数:9
供职机构:华中科技大学机械科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信化学工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 60篇专利
  • 40篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 40篇电子电信
  • 12篇化学工程
  • 9篇一般工业技术
  • 8篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇机械工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇经济管理
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 51篇封装
  • 25篇键合
  • 20篇基板
  • 17篇陶瓷
  • 17篇纳米
  • 13篇陶瓷基
  • 12篇陶瓷基板
  • 10篇电子封装
  • 9篇制冷
  • 8篇圆片
  • 8篇散热
  • 8篇焊膏
  • 8篇发光
  • 7篇低温键合
  • 7篇电镀
  • 7篇制冷器
  • 7篇二极管
  • 6篇圆片键合
  • 6篇三维封装
  • 6篇气密封装

机构

  • 109篇华中科技大学
  • 10篇武汉光电国家...
  • 5篇武汉轻工大学
  • 3篇韦恩州立大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 3篇武汉利之达科...
  • 2篇中国建筑材料...
  • 2篇武汉理工大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇武汉工业学院
  • 1篇沈阳农业大学
  • 1篇中国科学院金...
  • 1篇中国科学院新...
  • 1篇广东腐蚀科学...
  • 1篇中国科学院国...
  • 1篇东莞市凯昶德...
  • 1篇武汉利之达科...

作者

  • 109篇陈明祥
  • 43篇刘胜
  • 22篇罗小兵
  • 19篇彭洋
  • 12篇易新建
  • 11篇程浩
  • 7篇陈四海
  • 6篇周洋
  • 6篇桂许龙
  • 6篇甘志银
  • 4篇张鸿海
  • 4篇吕亚平
  • 4篇王思敏
  • 4篇刘孝刚
  • 3篇郑怀
  • 3篇刘文明
  • 3篇余珊
  • 3篇席炎炎
  • 3篇程浩
  • 3篇熊韬

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 4篇半导体光电
  • 3篇低温与超导
  • 3篇华中科技大学...
  • 3篇发光学报
  • 3篇电子元件与材...
  • 3篇中国电子科学...
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇电子与封装
  • 2篇2014`全...
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇微处理机
  • 1篇现代技术陶瓷
  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇纳米科技
  • 1篇中国科学:技...
  • 1篇中国科学:信...

年份

  • 7篇2023
  • 12篇2022
  • 9篇2021
  • 7篇2020
  • 8篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 10篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 7篇2005
  • 4篇2004
109 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于感应加热的MEMS键合工艺研究
对感应局部加热实现MEMS封装键合进行了初步研究.试验中选用功率为1kW、频率为400kHz的高频电源,通过对感应线圈优化设计,实现了硅片上的焊料图形键合.为实现局部加热,感应加热图形(键合区)应设计为封闭环结构(同时也...
陈明祥易新建甘志银刘胜
关键词:微机电系统封装
文献传递
含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术被引量:4
2014年
研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。
吕亚平刘孝刚陈明祥刘胜
关键词:CU
银纳米线柔性加热器在个人热管理中的研究进展
2023年
个人热管理(PTM)技术通过调控人体表面的热学微环境,可实现对人体体温的精准调控,不仅可以维持人体热舒适,而且可以有效降低建筑能耗,是近年来的研究热点。基于银纳米线(Ag NW)的柔性薄膜加热器件具有加热效率高、柔性可拉伸性强、佩戴舒适等优点,在PTM中得到了广泛应用。基于Ag NW柔性薄膜加热器在PTM应用中的研究进展,从Ag NW合成、成膜、后处理与封装4个方面,对Ag NW柔性薄膜加热器的制备工艺进行了全面总结;采用方块电阻和品质因子等参数定量分析了电热性能和透明度等关键指标的发展趋势;最后介绍了Ag NW薄膜加热器与电磁屏蔽、运动感应、NO_(2)检测等应用的集成,并对其未来的发展方向进行了展望。
李晨圆陈明祥谢斌
关键词:电热性能
LED感应局部加热封装试验研究被引量:13
2007年
采用感应局部加热技术,对大功率发光二极管(LED)封装进行了试验研究。结果表明,由于感应加热对材料和结构具有选择性,封装过程中仅Cu-Sn合金焊料层加热,实现了芯片和覆铜陶瓷基板间的热键合。封装后的LED性能测试表明,该封装技术不仅降低了热阻,使LED在高电流下(4倍电流)仍能保持较低的工作温度,而且降低了热应力和整体高温对芯片结构的损坏,提高了器件性能和可靠性。
陈明祥马泽涛刘胜
关键词:发光二极管封装
一种含微通道的陶瓷基板及其制备方法
本发明属于电子封装相关技术领域,其公开了一种含微通道的陶瓷基板及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)采用电镀工艺在陶瓷基片相背的两个表面分别制备金属线路层及微通道立柱,所述微通道立柱的数量为多个,多个所述微通道立...
陈明祥王卿程浩
文献传递
用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其制备方法和应用
本发明属于电子制造技术领域,并具体公开了用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其制备方法和应用。该制备方法包括:将微米铜颗粒清洗去除杂质,然后烘干备用;将烘干后的微米铜颗粒置于预设环境中进行氧化,从而在其表面形成纳米铜氧化物;...
陈明祥刘佳欣
文献传递
低温键合制备铜-陶瓷基板方法
本发明提供了一种低温键合制备铜-陶瓷基板的方法。首先将铜合金片选择性腐蚀得到含多孔纳米结构的铜片,然后在一定的温度、压力和保护气氛作用下,将铜片热压键合到沉积有金属薄膜的陶瓷片上,得到单面或双面含铜层的铜-陶瓷基板,最后...
陈明祥
文献传递
一种高热稳定的芯片级LED封装方法及其产品
本发明属于半导体制造技术相关领域,并公开了一种高热稳定的芯片级LED封装方法,其包括:首先将多颗LED芯片通过共晶键合贴装在陶瓷基板上,接着在陶瓷基板上涂覆荧光玻璃浆料,并通过低温烧结在芯片顶部和侧面获得荧光玻璃层,然后...
陈明祥彭洋牟运罗小兵刘胜
文献传递
内嵌陶瓷电路板的PCB基板制备及其LED封装性能被引量:3
2022年
普通印刷电路板(PCB)材料热导率低,散热性能不佳,难以用于封装大功率器件。本文提出并制备了一种直接电镀铜陶瓷基板(DPC)的PCB基板(以下简称“内嵌基板”),利用陶瓷材料高热导率强化基板局部散热,并将其应用于大功率LED封装。使用胶粘剂将DPC基板固定在开窗的PCB基板中,电互连后得到内嵌基板。相较于普通PCB基板,相同电流下内嵌基板表面温度低,温升趋势放缓,当电流从200 mA增加到400 mA时,内嵌基板温升比普通PCB基板低约42.1℃。当电流为350 mA时,内嵌基板封装的LED样品热阻和结温变化分别为15.55 K/W和9.36℃,其光功率随电流增加而增大,并始终高于同电流下普通PCB基板封装LED;在400 mA时,两者光功率相差约16.7%。实验表明,内嵌基板是一种高性能、低成本的封装基板,可有效提高大功率LED散热性能,满足功率器件封装应用需求。
王哲王永通刘佳欣牟运彭洋陈明祥
关键词:发光二极管(LED)
大功率白光LED封装设计与研究进展被引量:50
2006年
封装设计、材料和结构的不断创新使发光二极管(LED)性能不断提高。从光学、热学、电学、机械、可靠性等方面,详细评述了大功率白光LED封装的设计和研究进展,并对封装材料和工艺进行了具体介绍。提出LED的封装设计应与芯片设计同时进行,并且需要对光、热、电、结构等性能统一考虑。在封装过程中,虽然材料(散热基板、荧光粉、灌封胶)选择很重要,但封装工艺(界面热阻、封装应力)对LED光效和可靠性影响也很大。
陈明祥罗小兵马泽涛刘胜
关键词:固态照明大功率LED白光LED封装
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