韩风龙
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 供职机构：天津大学材料科学与工程学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 掺杂Na2CO3和Bi2O3对(Ba,Sr)TiO3基陶瓷材料性能的影响
- 以钛酸钡,二氧化钛,碳酸钠,氧化铋,五氧化二铌等为原料,在实验中碳酸钠,氧化铋在第一次配料中加入量较少的时候,对瓷料的半导化影响不大,实验证明提高了瓷料的居里温度,且升阻比也很高;当碳酸钠和氧化铋加入量增加时,瓷料变成了...
- 韩风龙曲远方李远亮刘超李小燕
- 关键词：碳酸钠氧化铋烧结温度
- 文献传递
- 掺杂Y_2O_3对BaSrTiO_3介质瓷性能的影响被引量：9
- 2005年
- 以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30～+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随温度的变化曲线。结果表明,在室温下,试样的相对介电常数最大值εr max不小于5 500,tgδ的最小值不大于16×10–4。
- 曲远方李远亮刘超韩风龙李小燕
- 关键词：无机非金属材料介电性能
- 钛酸钡基低室温电阻率高居里点PTCR的研究
- 本实验采用传统工艺，以碳酸钡，钛酸锶，二氧化钛，碳酸钠，氧化铋等为原料，制备了无铅高居里点低室温电阻率复合陶瓷。(1)通过在(Ba,Sr) TiO<,3>系统中加入不同含量的Na<,2>CO<,3>和Bi<,2>O<,3...
- 韩风龙
- 关键词：居里点半导化复合陶瓷
- 文献传递
- 掺杂对(Ba_(0.92)Sr_(0.08))TiO_3基陶瓷性能的影响
- 2006年
- 以钛酸钡、二氧化钛、碳酸钠、氧化铋、五氧化二铌等为原料,在实验中碳酸钠,氧化铋在第一次配料中加入量较少的时候,对瓷料的半导化影响不大,实验证明提高了瓷料的居里温度,且升阻比也很高;当碳酸钠和氧化铋加入量增加时,瓷料变成了绝缘介质,介电常数高于1 500,最大的超过了8 000。
- 韩风龙曲远方李远亮刘超李小燕
- 关键词：半导化碳酸钠氧化铋烧结温度
