马云飞
- 作品数：13 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种两交叉抛物柱体切向刚度测量装置
- 本发明公开了一种两交叉抛物柱体切向刚度测量装置。该装置由测量装置、夹紧装置、激振装置以及旋转平台组成。测量装置起实时测量试件力和位移的作用。夹紧装置起固定试件的作用。激振装置对试件施加激振力，使试件产生力和位移。旋转平台...
- 郭铁能季如国马云飞彭立伟周成
- 文献传递
- 一种两交叉抛物柱体切向刚度测量装置
- 本发明公开了一种两交叉抛物柱体切向刚度测量装置。该装置由测量装置、夹紧装置、激振装置以及旋转平台组成。测量装置起实时测量试件力和位移的作用。夹紧装置起固定试件的作用。激振装置对试件施加激振力，使试件产生力和位移。旋转平台...
- 郭铁能季如国马云飞彭立伟周成
- 基于多源兴趣融合和语义推理的用户兴趣建模研究
- 用户兴趣模型是个性化服务的关键组成部分,旨在发现和挖掘特定个体或群体的特征信息,从而为个性化服务的展开提供信息支持和决策依据。到目前为止,全球范围内对用户兴趣的研究成果已经很多。但随着信息技术的发展,当前Web环境已发生...
- 马云飞
- 关键词：语义推理用户兴趣建模
- 自熄灭硅基单光子雪崩探测器理论及仿真研究
- 单光子雪崩探测器(single photon avalanche detector，SAPD)因具有响应速度快、探测效率高、体积小、质量轻、内部增益高以及功耗低等特点在环境监测、传感与遥感、军事及医药等领域具有广泛的应用...
- 马云飞
- 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管
- 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，能够对微弱通信光信号进行探测。包括有p<Sup>+</Sup>型欧姆接触电极(101)，p<Sup>+</Sup>欧姆接触层(102)，吸收层...
- 李冲郭霞刘巧莉董建刘白马云飞
- 文献传递
- 一种波导耦合型吸收倍增分离雪崩二极管
- 一种波导耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域。本发明包括有p<Sup>+</Sup>型欧姆接触电极，p<Sup>+</Sup>欧姆接触层，吸收层，p型电荷区，倍增区，n<Sup>+</Sup>...
- 李冲郭霞刘巧莉董建刘白马云飞
- 文献传递
- 一种利用柔度矩阵指标辨识弹性支撑梁结构刚度薄弱环节的方法
- 一种利用柔度矩阵指标辨识弹性支撑梁结构刚度薄弱环节的方法属于机械振动测试领域。该发明考虑了能等效为弹性支撑梁结构的机床结构，以弹性支撑梁结构有限元模型为数值算例，利用状态空间法获取各测点的动态测试数据，通过对整体结构的柔...
- 郭铁能马云飞季如国周成彭立伟
- 文献传递
- 硅基雪崩光电探测器倍增层掺杂的研究被引量：2
- 2014年
- 硅基雪崩光电探测器的器件性能与倍增层的掺杂浓度有着密切联系。研究了硅基雪崩光电探测器倍增层的掺杂浓度对雪崩击穿电压和光谱响应度等特性的影响。在硼的注入剂量由5.0×1012 cm-2减小为2.5×1012cm-2时,倍增层内电场强度逐渐降低,吸收区电场强度迅速增大,器件的雪崩击穿电压由16.3V迅速上升到203V,而光谱响应在95%的击穿电压下,峰值响应波长由480nm红移至800nm,对应的响应度由11.2A/W剧增到372.3A/W。综合考虑光谱响应和雪崩击穿电压的影响,在硼注入剂量为3.5×1012 cm-2时,可获得击穿电压为43.5V和响应度为342.5A/W的器件模型,对实际器件的制备具有一定参考价值。
- 崔文凯武华马云飞周弘毅郭霞
- 关键词：SIAPD光谱响应
- 硅片表面粗糙度对界面态的影响被引量：6
- 2013年
- 针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响载流子寿命及界面态的特点,采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光(CMP)制备出不同粗糙度的样品。通过傅里叶红外透射谱分析和C-V测试分析表明,粗糙度大的硅片表面因表面损伤大,具有更低的红外透射率和更高的界面态密度。
- 陈树华武华周弘毅崔文凯马云飞郭霞
- 关键词：粗糙度界面态
- 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管
- 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，能够对微弱通信光信号进行探测。包括有p<Sup>+</Sup>型欧姆接触电极(101)，p<Sup>+</Sup>欧姆接触层(102)，吸收层...
- 李冲郭霞刘巧莉董建刘白马云飞
