马农农
- 作品数：24 被引量：17H指数：3
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- 砷化镓中硅的二次离子质谱定量分析技术研究
- 韩象明刘容马农农李华邹庆生查良镇
- 该研究成果建立了一套完善的、对砷化镓材料中杂质和掺杂元素硅浓度微区分布的二次离子质谱定量分析系统。它适用于砷化镓器件和集成电路工艺研制中，对不同工艺条件下的注入硅的砷化镓晶片及分子束外延掺硅的砷化镓进行剖析测量。该分析系...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓二次离子质谱硅
- 硅材料中锑杂质含量的二次离子质谱检测方法
- 2016年
- 针对二次离子质谱法测硅材料中锑杂质存在质量数干扰、实验结果不准确的问题,该文对排查干扰离子并消除干扰的方法进行研究。通过对相关样品进行二次离子质谱定量分析、深度剖析和全元素扫描分析,探究硅材料中锑杂质准确定量的最优检测方法。最终结果表明二次离子质谱法对硅中锑杂质浓度的检测限可低至1×1013atoms/cm3,相对标准偏差(RSD,n=10)为10.0%。研究结果对分析二次离子质谱检测中普遍存在的质量数干扰现象有参考价值,排查干扰离子的方法有广泛的适用性。
- 陈潇马农农何友琴王东雪
- 关键词：检测限
- 二次离子质谱的深度分辨本领被引量：6
- 2000年
- 深度剖析是二次离子质谱在半导体以及各种其它薄膜材料分析中最重要的应用 ,深度分辨本领是表征其分析能力的重要参数 ,国际标准化组织 ( ISO)最近正在研究和制定这方面的国际标准。本文在概述了SIMS深度分辨本领影响因素的基础上 ,推导了δ掺杂层深度分辨函数的解析表达式 ,讨论了其物理意义 ,特别是分辨参数的定义。在 CAMECA IMS4 f仪器上用 5.5ke V的氧束对 Si中 Ga Asδ掺杂多层膜样品进行了深度剖析 ,讨论了所得分辨参数及影响因素。结合国外实验室 ISO巡回测试的结果 。
- 朱怡峥桂东陈娉马农农韩象明查良镇
- 关键词：二次离子质谱半导体
- 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
- 本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。
- 马农农何友琴李素青陈潇刘立娜何烜坤
- 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
- 本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本文件适用于硼原子浓度范围1×1015 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3的单...
- 马农农何友琴陈潇 张鑫王东雪 李展平
- Si_3N_4钝化层质量分析研究被引量：1
- 2009年
- 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。
- 丁丽严如岳何秀坤李宝珠李雨辰何友琴马农农章安辉刘立娜
- 关键词：氮化硅钝化层生成物
- 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
- 本标准规定了氮化鲸材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。
- 马农农 何友琴 陈潇 刘立娜 何烜坤 杨素心 闫方亮 杨丽霞 颜建锋 倪青青
- 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
- 本文件规定了碳化硅单晶中砌、铝、氯杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中砌、铝、氯杂质含量的定量分析，测定范围为砌含量不小于5X1013cm-3、铝含量不小于5X1013cm-3、氮含量不小于5X101...
- 马农农何友琴陈潇刘立娜何烜坤李素青张红岩
- 超薄型SOI材料顶层硅和埋氧化层厚度的测量方法
- 本发明公开了一种超薄型SOI材料顶层硅和埋氧化层厚度的测量方法，首先取一片SOI晶片，利用X光电子能谱仪进行SOI材料成分测试，采用数据采集和离子溅射交替进行，记录SOI材料中各组分的含量随溅射时间的变化，从而获得样品各...
- 刘立娜刘兆枫马农农李雨辰何煊坤杨东海孙雪莲蔺娴何友琴
- 文献传递
- 铯离子源在ＳＩＭＳ分析中的应用
- 刘容马农农
- 关键词：质谱仪铯离子
