马建立
- 作品数：8 被引量：17H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- [110]／(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型被引量：5
- 2011年
- 本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型.本文的研究方法亦适用于建立(001)面任意应力方向上的应变Si本征载流子浓度模型,并为相关单轴应变Si器件的设计、建模以及仿真提供了一定的理论参考.
- 王冠宇马建立张鹤鸣王晓艳王斌
- 关键词：/(001)单轴应变si
- (001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构被引量：6
- 2011年
- 首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.
- 马建立张鹤鸣宋建军王冠宇王晓艳
- SOI部分耗尽SiGeHBT集电结空间电荷区模型被引量：3
- 2011年
- SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用'折叠'集电极,已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容.本文结合SOI薄膜上的纵向SiGeHBT结构模型,提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的'部分耗尽(partially depleted)晶体管'集电区简化电路模型.基于器件物理及实际考虑,系统建立了外延集电层电场、电势、耗尽宽度模型,并根据该模型对不同器件结构参数进行分析.结果表明,空间电荷区表现为本征集电结耗尽与MOS电容耗尽,空间电荷区宽度随集电结掺杂浓度减小而增大,随集电结反偏电压提高而增大,随衬底电压减小而增大,直到集电区纵向全部耗尽,然后开始横向扩展.该模型为新一代基于SOI的SiGe毫米波BiCMOS电路设计和仿真提供了重要参考.
- 徐小波张鹤鸣胡辉勇许立军马建立
- 关键词：SOISIGEHBT集电区
- 应变Si／(001)Si1-x Gex电子迁移率被引量：3
- 2011年
- 依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变SiNMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方法同样适用于应变Si其他晶面任意方向电子迁移率的计算,为应变Si器件、电路的设计提供了一定的设计依据.
- 王晓艳张鹤鸣宋建军马建立王冠宇安久华
- 关键词：散射模型电子迁移率
- 单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究
- 应变硅具有载流子迁移率高、能带结构可调，并与硅的微电子技术相兼容等优异特性，已成为高速/高性能半导体器件与集成电路的研究发展重点。在硅中引入应变来增强载流子迁移率的方式有衬底致双轴应变和工艺致单轴应变。与双轴应变硅相比，...
- 马建立
- 关键词：载流子迁移率蒙特卡罗模拟法
- 单轴〈111〉应力硅价带结构计算
- 2011年
- 基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况.计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致.拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
- 马建立张鹤鸣宋建军王晓艳王冠宇徐小波
- 单轴应力锗能带结构研究被引量：1
- 2012年
- 用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.
- 马建立张鹤鸣宋建军魏群王晓艳王冠宇徐小波
- 单轴应变Si导带色散关系解析模型
- 2012年
- 本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间的坐标变换,得到了任意单轴应力作用下每个能谷的色散关系.本文的研究可以为单轴应变Si材料物理性质的理解以及对反型层能带结构、电学特性的相关研究提供一定的理论参考.
- 王冠宇宋建军张鹤鸣胡辉勇马建立王晓艳
- 关键词：色散关系
