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马晓宇

作品数：21 被引量：17H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信文学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文学

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体激光
  • 7篇半导体激光器
  • 4篇二极管
  • 4篇沉孔
  • 3篇光纤
  • 2篇弹簧
  • 2篇压缩弹簧
  • 2篇手柄
  • 2篇外径
  • 2篇外螺纹
  • 2篇外套管
  • 2篇微动
  • 2篇微动开关
  • 2篇螺纹
  • 2篇内螺纹
  • 2篇接线
  • 2篇接线端

机构

  • 20篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 21篇马晓宇
  • 4篇孙海东
  • 4篇徐金生
  • 4篇王晓薇
  • 3篇陈良惠
  • 3篇方高瞻
  • 2篇李全宁
  • 2篇高俊华
  • 2篇白一鸣
  • 2篇仲莉
  • 2篇徐遵图
  • 1篇廉鹏
  • 1篇隋文辉
  • 1篇高国
  • 1篇曹青
  • 1篇林涛
  • 1篇邹德恕
  • 1篇黄永箴
  • 1篇朱家廉
  • 1篇王小薇

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇量子光学学报
  • 1篇西安理工大学...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1997
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
寄生参数对半导体激光器直接调制特性的影响被引量：4
2011年
通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。
林涛林楠马新尖郑凯马晓宇
关键词：半导体激光器调制特性寄生参数
选择性质子轰击DC-PBH激光器
1997年
在普通双沟平面掩埋异质结（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器的基础上，采用质子轰击的技术，制作了一种新型的选择性质子轰击ＤＣ－ＰＢＨ激光器。这种新型的激光器结构与以前普通的ＤＣ－ＰＢＨ结构相比阈值电流降低，输出功率及量子效率得到提高，尤其是它的调制特性得到明显改善，这种结构激光器的调制带宽由原来的２．０ＧＨｚ提高到６．０ＧＨｚ。
张佰君衣茂斌李德辉申智渊高鼎三马晓宇
关键词：半导体激光器选择性质子轰击DC-PBH
便于握持的光纤手柄的结构
一种便于握持的光纤手柄的结构，其中包括：一手柄头，该手柄头为锥状结构，手柄头为中空，在其尾端有内螺纹；一手柄主体，包括：一手柄外套管，手柄外套管为中空，且前端的内径大于后端，在手柄外套管的前端有外螺纹；一光纤导管为中空；...
王晓薇徐金生孙海东马晓宇方高瞻
文献传递
离子注入砷化镓吸收镜
一种离子注入砷化镓吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘砷化镓衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的背面镀有高反膜；一吸收区，该吸收区是通过砷离子注入到衬底上并且退火而产生；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上。本发明可用于波长为一...
马晓宇王勇刚
文献传递
LD列阵泵浦Nd:YAG连续激光器被引量：2
2002年
介绍了一种二极管侧面泵浦的Nd :YAG连续激光器 ,采用了简单、实用的侧面泵浦结构 ,获得 37.9W的连续 10 6 4nm的激光多模输出 ;斜效率为 31.5 % ,光效率为 2 3.7%。文中还对该泵浦头的热透镜效应作了测试。
刘媛方高瞻王小薇刘斌马晓宇肖建伟
关键词：ND:YAG连续激光器侧面泵浦热透镜光效率固体激光器半导体激光器
InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测被引量：4
2008年
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。
肖雪芳杨国华归强王国宏马晓宇陈朝陈良惠
关键词：雪崩光电二极管
论罗伯特·洛厄尔诗歌的谐趣风格
本文尝试系统地研究罗伯特.洛厄尔诗歌中的谐趣风格。《威尔利老爷的城堡》和《生活研究》两本诗集都存在很多谐趣的写作风格,这种谐趣的技巧主要表现在字音、词语、原型、不同的语域以及人物描写方面。　　 笔者认为,诗人有意采取的...
马晓宇
关键词：诗歌创作写作技巧人物描写
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器被引量：1
2000年
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法 ,以液态 CCl4为掺杂源生长了高质量 C掺杂 Ga As/Al Ga As材料 ,并对生长机理、材料特性以及 C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以 C为 P型掺杂剂的 Ga As/ Al Ga As/ In Ga As应变量子阱半导体激光器结构 ,置备了高性能 980 nm大功率半导体激光器。
廉鹏邹德恕高国殷涛陈昌华徐遵图沈光地马晓宇陈良惠
关键词：MOCVD半导体激光器气相外延
InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究被引量：1
2007年
介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;
蔡道民李献杰赵永林刘跳林涛江李马晓宇
关键词：INP自对准
波导集成光电探测器及光纤陀螺
本公开提供一种波导集成光电探测器及光纤陀螺，涉及光电探测器领域，一种波导集成光电探测器，包括：衬底；波导结构，设于衬底上，波导结构包括级联Y分支波导，级联Y分支波导的末级输出端分别设有弯曲波导，弯曲波导与级联Y分支波导末...
郝爽祁琼刘素平熊聪马晓宇
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