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马青松
作品数:
6
被引量:64
H指数:4
供职机构:
浙江大学材料科学与工程学系无机非金属材料研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
浙江省自然科学基金
浙江省151人才工程
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相关领域:
化学工程
理学
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
葛曼珍
硅材料科学国家重点实验室
杨辉
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
余京松
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
钱晓倩
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
江仲华
浙江大学材料与化学工程学院
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化学气相
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化学气相沉积
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改性
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氮化
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电性能
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制备及性能
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陶瓷
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体积电阻
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热稳定
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热稳定性
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微观结构
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NH
1篇
SIH
1篇
硅
1篇
APCVD
机构
6篇
浙江大学
作者
6篇
马青松
5篇
杨辉
5篇
葛曼珍
2篇
余京松
1篇
钱晓倩
1篇
江仲华
1篇
丁新更
传媒
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陶瓷学报
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硅酸盐学报
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中国陶瓷工业
1篇
功能材料
1篇
材料科学与工...
年份
1篇
2000
4篇
1999
1篇
1998
共
6
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CVD法氮化硅薄膜制备及性能
被引量:48
1998年
氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料,具有优秀的光电性能、钝化性能和机械性能,将在微电子、光电和材料表面改性领域获得广泛应用。本文着重评述了制备氮化硅薄膜的几种化学气相沉积方法和一些性能。
杨辉
马青松
葛曼珍
关键词:
氮化硅薄膜
化学气相沉积
APCVD法制备氧氮玻璃薄膜及其工艺.结构和性能的研究
马青松
关键词:
氧氮玻璃
常压化学气相沉积
热稳定性
表面改性
表面形貌
常压CVD法制备Si-N-O薄膜及其电性能
被引量:1
1999年
本文利用常压CVD设备在较低温度(<700℃)下制备得到了Si-N-O薄膜,探讨了反应温度、反应时间、NH3中杂质水汽对薄膜生成的影响。
葛曼珍
马青松
杨辉
吴福静
关键词:
化学气相沉积
体积电阻
电性能
APCVD制备氮化硅薄膜的微观结构
被引量:4
2000年
以SiH4和NH3作为反应气体,用常压化学气相沉积(APCVD)法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜,研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构,研究结果表明:在660℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态,氮化硅薄膜与平板玻璃基板之间的界面有熔焊现象,结合牢固。
杨辉
丁新更
孟祥森
马青松
葛曼珍
关键词:
化学气相沉积
氮化硅薄膜
微观结构
氮化硅薄膜的制备技术
被引量:7
1999年
氮化硅薄膜是一种重要的精细陶瓷薄膜材料,具有优秀的光电性能、钝化性能、稳定性能和机械性能,在微电子、光电和材料表面改性等领域有着广阔的应用前景。本文综述了几种制备氮化硅薄膜的方法。
余京松
马青松
葛曼珍
杨辉
杨辉
关键词:
氮化硅
陶瓷
APCVD法SiH_4-NH_3-CO_2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究
被引量:8
1999年
在660℃下以SiH4-NH3-CO2作为反应气体利用常压CVD(APCVD)设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜.此温度比文献报道的APCVD法低200℃以上,有效地降低了沉积温度.实验发现NH3中水汽对沉积反应的显著影响.初步研究表明:运用APCVD法将这种薄膜应用于普通钠钙硅玻璃的表面改性。
余京松
钱晓倩
马青松
马青松
葛曼珍
杨辉
关键词:
氧氮玻璃
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