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黄和鸾

作品数：17 被引量：16H指数：3
供职机构：辽宁大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省科委自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 6篇半导体
  • 6篇超晶格
  • 5篇应变层
  • 5篇应变层超晶格
  • 5篇晶格
  • 5篇SI
  • 4篇碳化硅
  • 3篇半导体材料
  • 3篇ZNSE
  • 3篇N
  • 3篇M
  • 3篇ZNS
  • 2篇电子结构
  • 2篇多孔硅
  • 2篇阳极
  • 2篇阳极氧化
  • 2篇异质结
  • 2篇施主
  • 2篇球磨
  • 2篇子结构

机构

  • 14篇辽宁大学
  • 2篇沈阳工业大学
  • 2篇中国科学院金...
  • 2篇电子工业部
  • 1篇吉林大学
  • 1篇锦州师范学院
  • 1篇沈阳大学

作者

  • 17篇黄和鸾
  • 3篇杨晓云
  • 3篇沈桂芬
  • 3篇石广元
  • 2篇吴玉琨
  • 2篇张国英
  • 2篇刘岩
  • 2篇高博静
  • 1篇徐立兴
  • 1篇李威
  • 1篇杨玉琨
  • 1篇邢金海
  • 1篇陈国栋
  • 1篇李文明
  • 1篇李莹
  • 1篇熊欣
  • 1篇王善力
  • 1篇李志杰
  • 1篇郭兴家
  • 1篇吴春瑜

传媒

  • 6篇辽宁大学学报...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇微处理机
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1988
  • 1篇1987
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
介电常数失配对InAs/GaAs应变量子阱中浅施主结合能的影响
1997年
研究了介电常数失配对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中浅施主结合能的影响。在有效质量近似下，利用变分方法计算了结合能随阱宽和杂质位置的变化。计算结果表明，介电常数失配对结合能的影响很大，这与前人的工作相符合，但晶格常数失配产生的应变对结合能的影响很小，并可以忽略。
邢金海黄和鸾
关键词：结合能介电常数砷化铟
应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)的电子结构被引量：2
1993年
本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)(n=1)的电子结构。计算了两种应变组态(赝晶生长,Free-Standing生长)下超晶格总的态密度,各原子的局域和分波态密度。我们发现:带隙E_g、费米能级E_f和原子价随应变的变化而变化;(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)超晶格中离子键和共价键共存;电子在界面附近发生了转移。
黄和鸾张国英
关键词：化合物半导体超晶格电子结构
应变层超晶格（ZnSe）_n／（ZnS）_m的亚带结构
1994年
本文讨论了应变对越晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ在Ｔ点带边结构的影响，计算了带偏移：并在双量子阱近似下，用有效质量近似方法计算了应变层超晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ的亚带结构。
汪静黄和鸾
关键词：应变层超晶格半导体材料
多孔硅的形成与电流电压特性研究
1996年
本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。
沈桂芬黄和鸾王正荣高博静刘岩郭兴加
关键词：多孔硅阳极氧化量子限制效应电流-电压特性
多孔硅形貌的观测与生长机理分析被引量：3
1997年
本文在实验基础上，对多孔硅的形成形貌学进行了研究。用日立Ｓ－７５０型扫描电镜观测了不同条件下生长的多孔硅的正面和侧面孔的形貌。对得到的实验结果进行了较为详细的分析。
沈桂芬黄和鸾王正荣高博静刘岩郭兴家李莹
关键词：多孔硅阳极氧化量子限制效应
Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述
1993年
本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。
高嵩黄和鸾陈国栋李威
关键词：异质结双极晶体管
SiC结构的多型性被引量：3
1998年
本文介绍了ＳｉＣ结构的多型性及其表示方法，总结了迄今为止已发现的１６０余种多型体，并介绍了本文作者发现的一个新的多型体１１４Ｒ－ＳｉＣ．ＨＪ１〗
杨晓云石广元黄和鸾
关键词：碳化硅陶瓷
热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究被引量：1
1995年
本文报道了首次用热壁外延（ＨＷＥ）方法，在Ｓｉ（１００）衬底上，制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果．由Ｘ－射线衍射谱确认，ＰｂＴｅ外延层是单晶，Ｉ－Ｖ曲线表明，该异质具有良好的整流特性．由Ｃ－Ｖ测量得到异质结的内建电势差．最后算出能带偏移．
杨玉琨李文明于磊杨易徐立兴熊欣王善力黄和鸾
关键词：碲化铅异质结热壁外延
球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察
1998年
ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...
杨晓云石广元黄和鸾吴玉琨
关键词：晶体HREM碳化硅
(ZnSe)_n/(ZnS)_m应变层超晶格的光吸收系数
1998年
用L-K有效质量理论研究［001］方向生长的（Znse）n／（ZnS）m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数．结果表明，光吸收系数与附宽和垒厚有关．
李志杰黄和鸾潘学铃
关键词：应变层超晶格半导体
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