您的位置： 专家智库 > >

黄美浅

作品数：45 被引量：74H指数：5
供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金广东省自然科学基金广东省重点攻关基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 34篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 11篇晶体管
  • 8篇钛酸
  • 7篇湿敏
  • 7篇光敏
  • 6篇退火
  • 6篇击穿
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇氧化膜
  • 5篇界面态
  • 5篇跨导
  • 5篇击穿特性
  • 5篇轰击
  • 5篇MOSFET
  • 5篇场效应
  • 4篇湿敏特性
  • 4篇硅衬底
  • 4篇半导体
  • 4篇SIO

机构

  • 45篇华南理工大学
  • 3篇信息产业部电...
  • 2篇华南师范大学
  • 1篇广州军区广州...
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇香港大学
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 45篇黄美浅
  • 40篇李观启
  • 16篇曾绍鸿
  • 10篇陈平
  • 9篇李斌
  • 8篇刘百勇
  • 7篇刘玉荣
  • 5篇曾勇彪
  • 4篇黄钊洪
  • 3篇李旭
  • 3篇章晓文
  • 2篇吴英才
  • 2篇朱炜玲
  • 1篇敬小成
  • 1篇赵寿南
  • 1篇郑耀宗
  • 1篇钮利荣
  • 1篇姚若河
  • 1篇林晓玲
  • 1篇彭俊彪

传媒

  • 18篇华南理工大学...
  • 6篇Journa...
  • 4篇电子元件与材...
  • 3篇物理学报
  • 2篇应用光学
  • 2篇电子产品可靠...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 1篇传感器技术
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
  • 6篇2005
  • 7篇2004
  • 5篇2003
  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1996
  • 6篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 3篇1991
  • 4篇1990
共 45 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
不同沟道长度对n沟MOSFET退化特性的影响被引量：1
2005年
研究不同沟道长度n沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响。实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1 mm时更是如此。这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释。
黄美浅朱炜玲章晓文陈平李观启
关键词：MOS场效应晶体管热载流子效应阈值电压跨导
携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响被引量：4
2005年
文章研究了采用氩气和氦气作携带气体时气体流量对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。实验结果表明,当采用氩气作携带气体时,其流量选择在氩气∶刻蚀气体≈1∶1时,刻蚀结果优化;当选择氦气作携带气体时,其流量选择在氦气∶刻蚀气体≈2∶1时,刻蚀结果优化。氩气和氦气相比,氩气更具优越性。
敬小成黄美浅姚若河
关键词：半导体工艺氩气氦气干法刻蚀等离子体
一种提高晶体管性能的方法
本发明是一种提高晶体管性能的新方法，能广泛应用于晶体管、集成电路的生产。本发明要点是在室温和真空中用A<Sub>r</Sub><Sup>+</Sup>束辐照管芯背面来提高或调节h<Sub>FE</Sub>和f<Sub>T...
曾绍鸿李观启黄美浅曾勇彪
文献传递
氧退火对SiO_2/Si衬底BST薄膜特性的影响
2004年
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的钛酸锶钡薄膜的物理及电学特性有较为明显的影响。
陈平黄美浅李观启李斌陈蒲生
关键词：钛酸锶钡薄膜物理特性电学特性介电常数
快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿被引量：3
1995年
研究不同类型、不同沟道长度的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。
黄美浅李观启刘百勇
关键词：击穿电压MOSFET栅氧化层热氮化
聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性被引量：4
2010年
为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论.结果表明:当器件暴露在空气中时,随着暴露时间的增加,器件的饱和漏电流明显增大,阈值电压逐渐增加;空气中的水是影响器件特性的主要因素;通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件在空气中的稳定性,并使器件的载流子迁移率提高3倍.
刘玉荣左青云彭俊彪黄美浅
关键词：薄膜晶体管稳定性钝化
热敏电阻测量法的研究被引量：10
2004年
对两种型号的热敏电阻样品进行测量,测试它们的R-T特性,设计了一种简便有效的。0℃时电阻值的测试方法,与小型高低温箱中0℃时测得的电阻值作对比,测量结果具有相当好的符合性。根据0℃和25℃的实验数据计算了热敏电阻材料性质的表征量,测量结果表明:两种型号的热敏电阻值的B值范围大多在10％以内。
林晓玲黄美浅章晓文
关键词：热敏电阻R-T特性
Al－SiO_xN_y－Si系统有效功函数差和界面特性的研究
1995年
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的平带电压值明显高于Ａｌ－ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的值，原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ界面态密度的增大有关。
李观启严东军黄美浅曾绍鸿刘百勇
关键词：氧化膜氮化功函数界面态
硅衬底Sr_(1-x)La_xTiO_3薄膜光敏特性研究
2001年
利用氩离子束镀膜技术在 Si O2 / Si衬底上淀积钛酸镧锶 (Sr1 - x L ax Ti O3)膜 ,并制成平面型电阻器。研究了薄膜电阻器的光电流与照度、电压和电极间距的关系以及薄膜在调制光下的频率特性 ,计算出薄膜中载流子寿命约为 2 9ms。结果表明 ,Sr1 - x L ax Ti O3薄膜在可见光区域具有较好的光敏特性 ,其灵敏度和光电导增益都比较高。在弱照度下 ,光电流随照度变化较快 ,主要与单分子复合过程相关 ;而在强照度下 ,变化趋于缓慢 。
刘玉荣李观启黄美浅曾绍鸿
关键词：硅衬底
用IR及XPS研究Photo-CVD SiO_2薄膜特性被引量：1
2003年
在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054～1069cm^(-1)之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO_2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×10^(10)～3×10^(11)cm^(-2)范围内;XPS分析表明,SiO_2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×10^(15)个原子。
刘玉荣李观启黄美浅
关键词：光CVDSIO2薄膜XPSC-V特性
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0