您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术

主题

  • 5篇超导
  • 4篇导体
  • 4篇超导体
  • 2篇TL
  • 2篇Y
  • 1篇低场
  • 1篇氧化物超导体
  • 1篇气相沉积
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇温度
  • 1篇临界温度
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇化学汽相沉积
  • 1篇高TC
  • 1篇NB
  • 1篇NB3SN
  • 1篇SN
  • 1篇TLBACA...
  • 1篇V3

机构

  • 5篇长沙矿冶研究...
  • 2篇中国科学院等...
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 5篇吴裕生
  • 5篇齐志伟
  • 3篇彭秋云
  • 2篇曹效文
  • 1篇冯尚申
  • 1篇张凤英
  • 1篇张伟杰
  • 1篇陈国堂
  • 1篇陈继平
  • 1篇刘宏宝

传媒

  • 2篇矿冶工程
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇中国金属学会...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1986
8 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
快速多层CVD工艺制取高性能Nb[*v3*]Sn超导带
彭获田吴裕生齐志伟
关键词:化学汽相沉积超导材料超导性
零电阻温度高于127KT1-2223超导体制备
1994年
本文采用初始成分为Tl_1.8Ca_2.6Ba_2.0Cu_3.0O_y,研究了一步合成和二步合成的短时间高温烧结及真空封闭较低温长时间热处理的Tl-2223制备工艺。用上述2种工艺均合成出单相性(2223)好的样品,其超导转变的起始温度Tc_(onset)、零电阻温度Tco以及转变宽度△Tc分别为:一步合成样品Tc_(onset)=135K,Tco=127.5K,△Tc=5.0K,二步合成样品Tc_(onset)=140K,Tc。=128.7K,△Tc=7.5K。
吴裕生齐志伟彭秋云陈继平黄际商崔炳
关键词:超导体临界温度
Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_y大块超导体的“不可逆线”及其低场反常
1991年
一、引言 Müller、Takashige和Bednor首先报道了高T_c氧化物超导体La_(2-x)Ba_xCu_(4-y)的“不可逆线”,并且遵守一个简单关系式:
曹效文冯尚申龙香云吴裕生彭获田齐志伟彭秋云方俊人
关键词:超导体TLBACACUO
连续CVD Nb_3Sn层生长的规律及特征的研究被引量:1
1989年
本文讨论了连续CVD Nb_3Sn层沉积速率与生产速率或带速之间的关系。研究了一定工艺条件下连续CVD层厚与沉积时间的线性生长关系和过渡层厚形成的抛物线规律与Nb_3Sn层生长的特征。
陈国堂吴裕生齐志伟
关键词:超导体NB3SN化学气相沉积
高T_c氧化物超导体Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4O_y中的磁通蠕动和磁通跳跃
1990年
高T_c氧化物Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4Oy大块超导体,在H_(C1)以下的磁场范围内存在着磁化反常,零场冷却样品在H_p以上磁场中的磁化强度与时间的关系的测量表明,存在着大量的磁通蠕动,并且在磁通蠕动期间伴随着磁通跳跃的发生,磁通蠕动速率与温度有关,表明与热激活有关,讨论了磁通的热激活,并且在77K的热激活能U≈0.14eV,还讨论了产生磁通跳跃的可能原因。
曹效文黄孙利张凤英龙香云彭获田彭秋云齐志伟吴裕生方俊人张伟杰刘宏宝毛向雷张裕恒
关键词:超导体磁通蠕动高TC
共1页<1>
聚类工具0