丁晓明
- 作品数：11 被引量：32H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究
- 2019年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。
- 黄乐旭应贤炜梅海丁晓明杨建王佃利
- 关键词：千瓦级微波功率晶体管
- 1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
- 2008年
- 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．
- 王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎
- 关键词：硅微波功率管
- 1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 王因生李相光傅义珠丁晓明王佃利盛国兴康小虎陶有迁
- 关键词：脉冲功率晶体管硅功率芯片功率增益占空比
- 硅微波功率管键合失效机理分析被引量：1
- 2014年
- 硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键合失效。通过加厚焊盘镀金层,避免了金丝对介质层的冲击,提高了硅功率管的键合质量及成品率。
- 钱伟严德圣丁晓明周德红刘雪高群蒋幼泉
- 关键词：键合
- 千瓦级LDMOS大功率器件研制被引量：3
- 2014年
- 南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。
- 王佃利李相光严德圣应贤炜丁晓明梅海刘洪军蒋幼泉
- 关键词：LDMOS千瓦级散热设计场板结构
- 微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究被引量：13
- 2012年
- 介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。
- 丁晓明王佃利李相光蒋幼泉王因生黄静
- 关键词：脉冲结温热阻
- 870-1OOO MHz 360W硅微波脉冲大功率管
- 报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360...
- 王因生王志楠丁晓明严德胜戴学梅吕勇
- 关键词：微波晶体管结构特征技术创新
- 1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：1
- 2012年
- 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。
- 王因生丁晓明蒋幼泉傅义珠王佃利王志楠盛国兴严德圣
- 关键词：硅功率管镇流电阻
- 1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制被引量：3
- 2014年
- 通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。
- 刘洪军王建浩丁晓明高群冯忠庸安明严德圣蒋幼泉
- 关键词：L波段
- 微波功率芯片的亚微米工艺
- 报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果.
- 王因生张树丹王佃利傅义珠盛国兴桂德成丁晓明王志楠
- 关键词：亚微米工艺
- 文献传递
