乔泳彭
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电气工程电子电信更多>>
- Ar气流量对磁控溅射制备微晶硅薄膜微观结构及光/电学性能的影响
- 2015年
- 采用射频磁控溅射法在不同Ar气流量条件下制备了多组微晶硅薄膜,研究了Ar气流量对薄膜微观结构及光/电学性能的影响。结果表明:当Ar气流量的较小时,微晶硅薄膜的沉积速率较高,薄膜的晶化率、晶粒尺寸以及粗糙度处于较好的生长态势。同时,薄膜的光学性能发生明显变化,对于长波长范围内薄膜的光学透过率随Ar气流量的增大逐渐下降。薄膜的电学性能表现为随Ar气流量的增大,少子寿命呈现出先增大后大幅降低的变化趋势。
- 乔泳彭蒋百灵
- 关键词：射频磁控溅射微晶硅薄膜
- 溅射参量对Si薄膜自晶化程度的影响
- 本课题采用射频磁控溅射法,通过调节Ar气流量与基体负偏压的大小直接制各了两组具有一定晶化程度的Si薄膜。借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外.可见光...
- 乔泳彭
- 关键词：射频磁控溅射硅薄膜光学带隙
- 文献传递
- H_2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响被引量：2
- 2013年
- 采用直流磁控溅射法在不同H2流量的条件下制备了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响。结果表明:随H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉积速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出现了细小的纳米晶粒,使得薄膜的无序结构得到了一定改善。同时,薄膜的光学性能也表现出明显变化,其中透过率持续上升,而光学带隙则呈现出先增大后减小的趋势。最终得到制备a-Si∶H薄膜的最优H2流量为15 sccm。
- 乔泳彭蒋百灵鲁媛媛牛毅张岩
- 关键词：直流磁控溅射HA-SI光学性能
- 基于脉宽参量的TiN纳米晶薄膜制备及其性能?
- 2019年
- 采用大功率脉冲溅射离子镀技术在不同脉宽条件下制备了一组TiN离子镀层,并通过XRD、SEM、AFM等手段对膜层的微观形貌、生长模式及相关力学性能进行了分析研究。结果表明:随着脉宽的增大,TiN膜层的瞬时沉积速率提高,膜层内部的晶化程度逐渐增强,薄膜晶粒尺寸有所增大,微观形貌显示为较典型的TiN(111)三角锥形以及柱状生长,颗粒尺寸及表面粗糙度均随脉宽的延长而增大,膜层整体无明显孔隙等缺陷存在。通过对H/E值的分析可以看出,较小脉宽条件下制备的膜层综合性能较好、可以获得较高的膜层硬度以及较大的硬度-模量比。
- 乔泳彭蒋百灵丁郁航张静
- 关键词：TIN薄膜纳米晶微观结构
- 偏压对磁控溅射纯Cr镀层组织形貌及耐腐蚀性能的影响被引量：8
- 2009年
- 基于磁控溅射离子镀技术在不同偏压下于单晶硅和45钢基体上制备了纯Cr镀层。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和CH1660B电化学工作站(极化曲线)分析了纯Cr镀层表面、截面微观形貌和择优生长取向的变化规律,并考察了纯Cr镀层的耐腐蚀性能。结果表明:偏压显著影响着纯Cr镀层的组织结构、择优取向以及耐腐蚀性能。基体偏压值大于90V后纯Cr镀层的组织结构由柱状晶向等轴晶转变纯Cr镀层组织形貌由柱状晶逐渐向等轴晶转变,随着偏压值增大,纯Cr镀层晶体择优生长面由(200)晶面变为(110)晶面,镀层耐腐蚀性能逐渐增强;且偏压值为120V时,镀层耐腐蚀性能表现最优;纯Cr镀层中晶体颗粒尺寸的减小和致密度的增加是耐腐蚀性提高的主要原因。
- 李洪涛蒋百灵曹政陈雪乔泳彭
- 关键词：偏压磁控溅射组织形貌耐腐蚀性能
- 低频高功率脉冲电场构建及其对离子镀层组织结构的影响
- 物理气相沉积两个主流技术之一的直流磁控溅射离子镀技术，虽已被光学和微电子产业广泛采用，但因难以沉积出厚膜镀层而限制了其在精密传动件产品领域的推广使用;同时，直流电弧离子镀因脱靶粒子夹带微熔液滴、易引起低温敏感性基材表层的...
- 乔泳彭
- 关键词：离子镀脉冲电场镀层结构力学性能
- 文献传递
- 电场强度对Ti纳米晶薄膜生长模式及性能的影响
- 2017年
- 采用强脉冲电场条件下物理气相沉积的方法,通过大幅提高脉冲峰值电流的方式,获得晶粒尺寸细小的Ti纳米晶薄膜,并依次对薄膜的生长模式及相关性能进行了对比研究。结果表明:较大的峰值电流可以获得晶粒尺寸细小的Ti纳米晶薄膜,但峰值电流的增大不能改变薄膜内晶体以Ti(100)晶面择优生长。薄膜的表面生长形貌表现为随峰值电流的增大,颗粒间隙大幅降低、粒子团聚尺寸增大、整体呈现圆球状紧密生长的结构。截面生长形貌表现为随峰值电流的增大逐渐由纤维状向柱状形貌过渡,并有效降低薄膜的内部缺陷,致密度显著提高。力学性能表现为随峰值电流的增大,薄膜的硬度、模量都呈现出先增大后减小的变化趋势,且当峰值电流增大到30~45 A之间时,Ti薄膜的硬度与模量存在最大值。
- 乔泳彭蒋百灵曹政李洪涛刘燕婕
- 关键词：脉冲电场峰值电流力学性能
- 脉冲持续时间对Ti纳米晶薄膜结构及性能的影响
- 2018年
- 采用大功率脉冲离子镀技术,通过调控单脉冲持续时间的方式,对所制备的纯金属细晶粒Ti薄膜的微观结构以及相关力学性能进行了对比研究。结果表明:在较小平均电流条件下,通过调控单脉冲持续时间T_(on)(占空比)可以获得较大峰值电流,并对薄膜的微观结构产生显著影响。薄膜的表面生长形貌表现为随着单脉冲持续时间的延长,颗粒间逐渐出现明显的孔隙,圆球状团聚生长的尺寸明显增大。截面生长形貌表现为随着脉冲持续时间的延长,发生由柱状形貌向树枝状形貌过渡,并产生大量的孔隙与缺陷,薄膜致密度明显下降。力学性能表现为随着脉冲持续时间的延长,薄膜的硬度与模量都呈现出先增大后大幅降低的变化趋势,且当单脉冲持续时间为4ms左右时,薄膜的硬度与模量存在最大值。
- 乔泳彭蒋百灵曹政张冰
- 关键词：脉冲持续时间微观结构力学性能
