余学峰
- 作品数：115 被引量：144H指数：7
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法
- 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温...
- 孙静刘海涛郭旗李豫东李小龙荀明珠于钢张兴尧余学峰
- Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤被引量：2
- 2003年
- 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显.
- 范隆郝跃余学峰
- 关键词：氧化物电荷界面态MOS电容SI/SIO2
- 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响被引量：4
- 2014年
- 对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。
- 丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静周航
- 关键词：总剂量辐射效应MOS晶体管三极管
- 双极运算放大器ELDRS效应的变剂量率实验室加速模拟方法初探
- 本文采用不同的变剂量宰加速评估方法,研究了在不同辐照温度、不同辐照总剂量条件下,运算放大器电路随高剂量率转换到低剂量率的辐射变化规律．结果表明：辐照时的转换总剂量、辐照温度及辐照剂量率均会对器件的响应特性产生影响,采用合...
- 陆妩任迪远郭旗余学峰
- 关键词：运算放大器
- 文献传递
- 典型器件和电路不同剂量率的辐射效应被引量：3
- 2012年
- 对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应;b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应;c)仅有时间相关效应;d)无不同剂量率辐照损伤间的差异。
- 陆妩任迪远郑玉展王义元郭旗余学峰何承发
- 关键词：剂量率效应
- 注F MOS电容的电离辐射效应被引量：6
- 1993年
- 对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注量范围是5×10^(14)—2×10^(16)F/cm^2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO_2界面和SiO_2中的行为将直接影响MOS器件的辐照效应,而F的行为依赖于F注入的工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。
- 张国强余学峰高文钰任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
- 关键词：MOS电容界面态电离辐射氟
- 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
- 本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先...
- 崔江维郑齐文魏莹孙静余学峰郭旗陆妩何承发任迪远
- 文献传递
- 星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究被引量：2
- 2011年
- 对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vout、正路输出电流Iout、抑制模式下的输入电流Iinhibit等参数随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:虽然同为小功率器件(DVHF2812DF与DVTR2815DF),但抗总剂量辐射能力有所差异,这与以往结果不同;由于氧化物正电荷的累积,在追加辐照时器件参数发生很大变化;满功率负载条件下器件的电参数随总剂量变化明显;抑制模式下输入电流可作为一评估器件抗辐射能力的敏感参数。
- 高博余学峰任迪远李豫东李茂顺崔江维王义元吾勤之刘伟鑫
- 关键词：退火效应
- 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性
- 2010年
- 对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照效应退火效应可靠性
- 总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应
- 2016年
- 空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI器件空间应用的综合可靠性进行评估.通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比,发现总剂量损伤导致热载流子损伤增强效应,机理分析表明该效应是STI辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起.与未辐照器件相比,预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大,器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数V_T,GM_(max),ID_(SAT)退化较多.本文还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论.
- 周航郑齐文崔江维余学峰郭旗任迪远余德昭苏丹丹
- 关键词：绝缘体上硅电离辐射热载流子
