2024年8月28日
星期三
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
俞磊
作品数:
5
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
更多>>
发文基金:
上海市科学技术委员会资助项目
更多>>
相关领域:
理学
一般工业技术
更多>>
合作作者
刘卫丽
中国科学院上海微系统与信息技术...
宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术...
张泽芳
中国科学院研究生院
何敖东
中国科学院上海微系统与信息技术...
刘波
中国科学院上海微系统与信息技术...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
4篇
专利
1篇
期刊文章
领域
1篇
一般工业技术
1篇
理学
主题
4篇
纳米
4篇
化学机械抛光
4篇
机械抛光
2篇
低温烘干
2篇
氧化铈
2篇
止点
2篇
煅烧
2篇
煅烧温度
2篇
无机纳米
2篇
无机纳米材料
2篇
相变材料
2篇
硝酸
2篇
硝酸铈铵
2篇
纳米材料
2篇
纳米孔
2篇
反射光
2篇
材料结构
1篇
单晶
1篇
英文
1篇
片状
机构
5篇
中国科学院
1篇
中国科学院研...
作者
5篇
俞磊
5篇
宋志棠
5篇
刘卫丽
3篇
张泽芳
2篇
吴关平
2篇
闫未霞
2篇
王良咏
2篇
刘波
2篇
何敖东
传媒
1篇
无机化学学报
年份
1篇
2016
1篇
2013
1篇
2012
1篇
2011
1篇
2010
共
5
条 记 录,以下是 1-5
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种菱形片状氧化铈的制备方法
本发明属于无机纳米材料制备技术领域,具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤:将硝酸铈铵,沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中,搅拌均匀至完全溶解后,进行加热回流反应,反应温度为70~100℃,时间为1~...
刘卫丽
张泽芳
俞磊
宋志棠
确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统
本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法,基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点,如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料,减少表层的损伤,...
何敖东
宋志棠
刘波
刘卫丽
吴关平
王良咏
李俊焘
俞磊
闫未霞
文献传递
单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)
被引量:1
2011年
以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。
张泽芳
俞磊
刘卫丽
宋志棠
关键词:
CEO2
沉淀法
确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统
本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法,基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点,如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料,减少表层的损伤,...
何敖东
宋志棠
刘波
刘卫丽
吴关平
王良咏
李俊焘
俞磊
闫未霞
文献传递
一种菱形片状氧化铈的制备方法
本发明属于无机纳米材料制备技术领域,具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤:将硝酸铈铵,沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中,搅拌均匀至完全溶解后,进行加热回流反应,反应温度为70~100℃,时间为1~...
刘卫丽
张泽芳
俞磊
宋志棠
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张