冯志宏
- 作品数：14 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
- 本发明公开了一种增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法，本发明首先在衬底上生长p型导电性的碳化硅缓冲层，接着在缓冲层上生长n型外延层，然后在n型外延层中形成隔离区，再在隔离区两侧的n型外延层上生成欧姆接触，最后在...
- 冯志宏李佳
- 文献传递
- AlGaN基日盲型紫外探测器的研制被引量：3
- 2008年
- 采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaNpin紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻为1012～1013Ω,常温下,该器件在10V反向偏压下的暗电流约为15nA,响应峰值波长为275nm,日盲区/可见盲区响应比接近103。
- 尹顺政李献杰蔡道民刘波冯志宏
- 关键词：日盲紫外探测器刻蚀
- InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法
- 本发明公开了一种InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法，其采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量AlN和AlGaN，该方法采用下述工艺步骤：(1)在衬底上直接生长InAlN缓冲层或者生长完AlN或A...
- 冯志宏刘波尹甲运
- 文献传递
- X波段大功率GaN HEMT的研制
- 2008年
- 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。
- 宋建博冯震王勇张志国李亚丽冯志宏蔡树军杨克武
- 关键词：X波段输出功率功率增益功率附加效率
- AlGaN/GaN HEMT 2DEG电致耦合模型的研究
- 2009年
- 传统计算AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的方法是根据Hooke定律计算c轴方向压应变与拉应变,然后利用压电模量计算出不依赖于栅压的2DEG,称为非耦合模型计算。提出了一种电致耦合模型来计算2DEG,在计算过程中考虑到弛豫度与附加电场对材料压电效应的影响,结果发现,当Al组分x=0.30时,压电极化电荷密度低于传统方法的计算值,两种模型的计算值相差7.17%,由此可见,当电场作用于材料时,材料产生逆压电效应,最终导致压电极化电荷密度降低。
- 兰立广张志国杨瑞霞冯志宏蔡树军杨克武
- 关键词：氮化镓弛豫逆压电效应二维电子气
- MOCVD生长高铝组分AlGaN材料研究
- 通过优化蓝宝石衬底上AlN、AlGaN材料的生长温度、Ⅴ/Ⅲ、生长压力等工艺条件,得到了高质量的AlN、AlGaN材料,AlN双晶衍射(002)和(102)ω扫描半宽分别为870弧秒和118弧秒,Al<,0.6>Ga<,...
- 袁凤坡梁栋尹甲运刘波刘英斌冯志宏
- 关键词：半导体材料ALGANMOCVD生长温度
- 文献传递
- AlGaN基日盲型紫外探测器的研制
- 采用MOCVD方法在（0001）蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN pin紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为4.6 V,零偏...
- 尹顺政李献杰蔡道民刘波冯志宏
- 关键词：日盲紫外探测器刻蚀
- 文献传递
- X波段GaN HEMT的研制
- 2008年
- 采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250V/10μA。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50V/1mA,栅源击穿电压大于40V/1mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20W,功率增益7dB,功率密度8W/mm。
- 王勇冯震宋建博李静强冯志宏杨克武
- 关键词：肖特基势垒击穿电压输出功率
- 增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
- 本发明公开了一种增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法，本发明首先在衬底上生长p型导电性的碳化硅缓冲层，接着在缓冲层上生长n型外延层，然后在n型外延层中形成隔离区，再在隔离区两侧的n型外延层上生成欧姆接触，最后在...
- 冯志宏李佳
- 文献传递
- 蓝宝石衬底上生长AlGaN/AlN结构的应变分析被引量：4
- 2007年
- 采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构,并进行了应变分析。通过X射线双晶衍射ω-2θ扫描曲线和拟合曲线分析发现,AlN是由两个不同弛豫度的应变缓冲层组成,弛豫度分别为96%和97.2%。AlN缓冲层在低温下不完全弛豫,导致高温下存在一个继续弛豫过程。X射线双晶衍射和透射光谱分析发现,AlGaN层Al组分由于未知的AlGaN弛豫度而无法确定。对AlGaN带隙公式和实验结果进行拟合,推算出弯曲系数为1.05 eV,这与已有文献相吻合。
- 梁栋袁凤坡张宝顺尹甲运刘波冯志宏
- 关键词：弛豫
