冯振兴
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：北京市科技计划项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用卢瑟福背散射/沟道和X射线衍射研究ZnO的弹性应变
- 在对发光材料的研究中,ZnO以其独特的性质,逐渐成为新世纪材料研究的热点.ZnO是新型Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有与GaN相近的性质<'[1]>.如:拥有较宽的直接带隙宽度(E<,g>=3.3eV,与GaN的E<,g>=3....
- 冯振兴周生强侯利娜姚淑德王立
- 关键词：X射线衍射ZNO半导体材料
- 文献传递
- 氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理被引量：1
- 2005年
- 用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与pGaN的接触,使ρc显著升高.
- 胡成余秦志新冯振兴陈志忠杨华杨志坚于彤军胡晓东姚淑德张国义
- 关键词：比接触电阻卢瑟福背散射
