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刘宁

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 10篇量子
  • 10篇量子点
  • 7篇量子点材料
  • 6篇砷化铟
  • 4篇砷化镓
  • 4篇宽光谱
  • 4篇光谱
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇盖层
  • 3篇缓冲层
  • 2篇砷化铟镓
  • 2篇砷化镓衬底
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇波长
  • 2篇长波

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇刘宁
  • 10篇王占国
  • 10篇金鹏
  • 3篇吴巨
  • 1篇于理科
  • 1篇胡良均
  • 1篇魏恒
  • 1篇安琪
  • 1篇赵昶
  • 1篇梁德春
  • 1篇李新坤
  • 1篇吕雪芹
  • 1篇雷文
  • 1篇吴剑
  • 1篇王佐才

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
长波长砷化铟/砷化镓量子点材料
一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓...
刘宁金鹏王占国
文献传递
宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料...
刘宁金鹏王占国
文献传递
自组织量子点的形成过程
2006年
利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.
于理科徐波王占国金鹏赵昶雷文胡良均刘宁
关键词：量子点AFMPL谱
宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化铝镓缓冲层...
刘宁金鹏王占国
文献传递
宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上...
刘宁金鹏王占国
文献传递
量子点超辐射发光管材料与器件研究
超辐射发光管(Superluminescent Diode，简称SLD)是一种具有内增益的非相干半导体发光器件。其光学特性介于半导体激光器与发光二极管之间，与激光器相比，超辐射发光管有更宽的发光光谱、更短的相干长度;与一...
刘宁
宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料...
刘宁金鹏王占国
文献传递
长波长砷化铟/砷化镓量子点材料
一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓...
刘宁金鹏王占国
文献传递
利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结构实现1.3微米光致发光
在GaAs衬底上使用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较之单层结构发光峰位红移180 nm,实现了1.3微米发光.结合透射电镜分析,多层堆垛量子点材料...
刘宁金鹏吴巨王占国
关键词：分子束外延INAS
文献传递
利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结构实现1.3μm光致发光
2007年
在GaAs衬底上用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较单层结构的发光峰位红移180nm,实现了1.3μm发光.结合透射电镜分析,多层堆垛量子点材料发光的显著红移是由于量子点层间应力耦合导致的上层量子点体积增大以及各量子点层间的能态耦合.
刘宁金鹏吴巨王占国
关键词：量子点分子束外延
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共2页<12>
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