刘峰松
- 作品数：9 被引量：15H指数：3
- 供职机构：同济大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究被引量：3
- 2003年
- 通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降 ,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3 + 占据VPb的形式存在。Y3 + 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因 ,而由于晶体内低价氧浓度的减少 ,作为绿光发光中心的 (WO3 +O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松
- 关键词：发光性能钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱X光电子能谱
- 钨酸铋钠晶体电子结构的理论模拟被引量：2
- 2005年
- 应用嵌入分子团簇的相对论密度泛函理论和离散变分 (DVM)计算程序,对Na、Bi两种不同占位状态钨酸铋钠晶体的电子结构进行了理论计算。经计算, (Bi4Na4W5O20 )6+团簇的禁带宽度为 4. 1eV,与实际晶体的禁带宽度相符;导带底主要是W5d轨道与Bi6p1 /2轨道,而价带顶则主要由O2p轨道组成;Bi轨道能级受Na、Bi离子占位因素影响较大。
- 刘峰松顾牡张睿
- 关键词：晶体电子结构禁带宽度分子团簇占位钨酸
- 变价元素铋掺杂钨酸铅晶体辐照损伤的研究被引量：1
- 2003年
- 采用剂量为 4Mrad的γ射线辐照Bridgman法生长的未掺杂和掺铋钨酸铅晶体 ,研究了辐照前后晶体的透射光谱、X射线激发发射光谱 (XSL)的变化 .利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对钨酸铅晶体辐照前后的微观缺陷进行了研究 ,并对其抗辐照损伤性能及微观机理进行了初步探讨 .研究表明 ,铋掺杂使得晶体中的正电子捕获中心和低价氧浓度下降 ;辐照后 ,未掺杂晶体中正电子捕获中心浓度下降 ,低价氧浓度上升 ,掺铋晶体则出现了与之完全相反的情况 ,正电子捕获中心浓度上升 ,低价氧浓度下降 .提出掺铋钨酸铅晶体中铋的掺杂辐照前主要以Bi3+占据VPb的形式存在 ,辐照使变价元素铋发生Bi3+→Bi5+的变价行为 ,Bi5+可以替代W6+格位并使得晶体内部分 (WO4 ) 2 -根团形成 (BiO3+Vo) -.
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠邱隆清陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成
- 关键词：钨酸铅晶体辐照损伤透射光谱正电子湮没寿命谱X光电子能谱强子对撞机
- 掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究被引量：3
- 2003年
- 采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量 ,并运用过渡态方法计算了其激发能。通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布 ,发现与VO 相关的F+ 心是晶体掺Nb的主要补偿机制。 (NbO3 +F+ ) 2 -缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低。计算结果表明VO 有关的F+ 的存在是有效消除晶体中 35 0nm吸收的主要原因。而F+ →W5d轨道的跃迁能量为 2 .8eV ,对应晶体中 4 2 0nm吸收。
- 刘峰松顾牡姚明珍梁玲
- 关键词：密度泛函态密度
- +3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究被引量：7
- 2004年
- 通过透射光谱、x射线激发发射光谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的几种不同 +3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和x光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究 .实验表明 ,不同的 +3价离子掺杂 ,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同 ,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化 .其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升 ,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降 ,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况 .提出 +3价离子在钨酸铅晶体中的掺杂作用机理并不相同 ,晶体中La3+ 将替代Pb2 + 的格位 ,Y3+ 和Bi3+ 将占据铅空位 ,而锑可以以Sb3+ 替代Pb2 + 格位和Sb5+ 替代W6 +
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠邱隆清陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成
- 关键词：钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱X光电子能谱发光性能
- 掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论计算被引量：1
- 2003年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO_4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。V_(Pb)是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。Y_(Pb^(3+)+V_(Pb)相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']在晶体中更稳定。缺陷态[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']和[(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体利O_(2p)→W_(5d)的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO_4^(2-)禁带宽度增大,可改善420nm与350nm的吸收,并通过减少V_(Pb)-V_O联合空位可有效抑制PbWO_4晶体的本征吸收。晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光。
- 刘峰松顾牡姚明珍梁玲陈铭南
- 关键词：密度泛函理论PBWO4电荷补偿态密度
- CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟被引量：1
- 2004年
- 利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法 ,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构 :价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成 ,导带底由Cu4s轨道组成 ,禁带宽度为 3.1eV ,该结果与实验相符。在不同缺陷态的计算中 ,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成 ,其中Cu3d→ 4s跃迁能量为 3.2eV 。
- 顾牡刘峰松张睿
- 关键词：密度泛函理论电子结构发光机理
- Nb_2O_5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究被引量：1
- 2003年
- 通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了布里奇曼 (Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明 ,铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的 35 0nm吸收带 ,提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升 ,低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb5+ 将占据W6+ 格位并使得晶体内部分(WO4) 2 -根团成为 (NbO3 +VO) -,由此可改善钨酸铅的发光性能。
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成
- 关键词：钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱掺杂X光电子能谱透射光谱
- 掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究被引量：3
- 2003年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能 ,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为 3 9eV ,表明掺Y不会引起晶体中35 0nm和 4 2 0nm吸收 .从掺Y对PbWO4 晶体电子结构的影响来看 。
- 刘峰松顾牡姚明珍梁玲陈铭南
- 关键词：晶体缺陷激发能密度泛函态密度分布闪烁体探测器
