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单伟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 2篇跃迁
  • 2篇半导体
  • 2篇GA
  • 2篇AS
  • 1篇多量子阱
  • 1篇压机
  • 1篇压力效应
  • 1篇砷化镓
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇金刚石
  • 1篇晶格
  • 1篇光反射
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱研究
  • 1篇刚石
  • 1篇AL
  • 1篇ALGAAS
  • 1篇CDTE
  • 1篇DX中心
  • 1篇MN

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 6篇单伟
  • 3篇姜山
  • 3篇沈学础
  • 1篇贾英波
  • 1篇陆卫
  • 1篇高季林
  • 1篇周洁
  • 1篇李丹
  • 1篇方晓明
  • 1篇穆耀明
  • 1篇章灵军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
几类半导体和超晶格、量子阱结构中跃迁过程的光谱研究
沈学础单伟姜山陆卫穆耀明
研究几类半导体和超晶格、量子阱结构的光跃迁过程，微观电子态和声子态，是当前半导体和超晶格、量子阱物理及固体光谱学最重要的一个方面。为其应用，尤其是光电子应用提供原理、模型、科学前景和数据。有如下四方面系列新结果、新贡献：...
关键词：
关键词：半导体超晶格量子阱结构
高压下半导体性质的研究-----金刚石对顶压机的应用
单伟
高压下半导体性质的研究
单伟
关键词：半导体
Al_x Ga_(1-x)As中DX中心的研究进展
1989年
(一)DX中心与能带结构的关系 原来Lang等认为DX中心是AlxGa1-xAs中施主杂质与空位形成的络合物。奇怪的是它的浓度与Al的成分x有关。最近的实验彻底澄清了这个问题。因为AlxGa1-xAs能带结构随x的变化,与GaAs能带结构随压力p的变化相似,如果DX中心与能带结构有关,改变压力p与改变组分x应有相似效果。Mizuta等首先发现,对GaAs加压力到20多kbar时,DLTS测量出现一个峰。他们认为这个就是DX中心对应的峰。
李名复贾英波单伟周洁高季林
关键词：ALGAASDX中心
Cd_（1－x）Mn_xTe／CdTe多量子阱的光反射研究
1994年
本文首次报道用光调制光谱（ＰＲ）研究了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＧｄＴｅ半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁，观察到多量子阱的各子能级激子跃迁１１Ｈ．１１Ｌ，２２Ｈ，３３Ｈ等，并得到轻重空穴分裂为１８ｍｅＶ．当能带偏移Ｑｃ＝０．９０时，理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好．发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强，并给出了初步解释，通过变温测量，测得各子能级的温度系数并与纯ＣｄＴｅ及Ｃｄ１－ｘＭａｘＴｅ混晶体材料的温度系数作了比较．
章灵军单伟姜山沈学础
In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs多量子阱子能带跃迁压力效应
1991年
用光调制吸收光谱方法在不同压力条件下研究了In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs应变多量子阱的子能带跃迁,发现子能带跃迁能量随压力的变化行为与构成量子阱的组成体材料带间跃迁能量的变化相似,并且子能带跃迁能量压力系数与量子阱的宽度有关。还讨论了压力可能引起的导带不连续率的变化和In_(0.15) Ga_(0.85)As应变层的临界厚度。
单伟方晓明李丹姜山沈学础
关键词：砷化镓跃迁
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