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吴大可

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 9篇沟道
  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇氧化物半导体
  • 6篇双栅
  • 6篇逻辑器件
  • 6篇金属氧化物半...
  • 6篇金属氧化物半...
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体场效应...
  • 6篇背栅
  • 6篇超大规模集成
  • 6篇超大规模集成...
  • 6篇存储器
  • 6篇大规模集成电...
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅

机构

  • 16篇北京大学

作者

  • 16篇吴大可
  • 14篇黄如
  • 10篇周发龙
  • 8篇张兴
  • 6篇王阳元
  • 4篇王润声
  • 4篇唐粕人
  • 2篇诸葛菁
  • 1篇王鹏飞
  • 1篇田豫
  • 1篇许晓燕
  • 1篇甘学温

传媒

  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2005
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法
本发明提供了一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路中的非挥发性半导体存储器技术领域。该快闪存储器基于平面结构，其沟道的两端与n+源和漏之间，各有一个完全相同的沟槽，沟槽的正下方包括一部分的沟道和一部分的...
周发龙吴大可黄如张兴
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器件尺寸缩小的挑战
2005年
吴大可甘学温
关键词：集成电路工业MOS集成度
一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种双鳍型沟道围栅场效应晶体，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道被栅氧和多晶硅栅围绕、形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，沟道为两个完全相同的截面...
周发龙吴大可黄如王鹏飞诸葛菁张兴
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一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底；沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin，形成双鳍型沟道；每个鳍...
周发龙吴大可黄如王润声张兴王阳元
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一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底；沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin，形成双鳍型沟道；每个鳍...
周发龙吴大可黄如王润声张兴王阳元
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三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双SOI衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Fin，上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每...
周发龙吴大可黄如王润声张兴王阳元
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鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于SOI衬底，沿沟道垂直方向，沟道的截面为长方形的鳍型Fin，形成鳍型沟道；鳍型沟...
吴大可周发龙黄如
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一种无电容式DRAM单元及其制备方法
本发明公开了一种无电容式DRAM单元及其制备方法，属于挥发性存储器中动态随机存储器技术领域。该DRAM单元包含一在p型掺杂体硅衬底上形成的N型场效应晶体管，该晶体管的沟道上面为栅氧化层和多晶硅栅，该晶体管的沟道两端分别连...
吴大可唐粕人黄如王阳元
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一种嵌入式非挥发性存储器
本发明公开了一种嵌入式非挥发性存储器，属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明的存储器包括一MOS晶体管和一插指型金属互联电容单元；所述插指型金属互联电容单元的内侧插指结构与所述MOS晶体管的栅极连接，构成嵌...
唐粕人吴大可黄如许晓燕
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一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法
本发明提供了一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路中的非挥发性半导体存储器技术领域。该快闪存储器基于平面结构，其沟道的两端与n+源和漏之间，各有一个完全相同的沟槽，沟槽的正下方包括一部分的沟道和一部分的...
周发龙吴大可黄如张兴
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