吴雅苹
- 作品数：42 被引量：9H指数：2
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀...
- 孔丽晶吴志明许飞雅陈婷吴雅苹康俊勇
- 一种具有电场可调极化率的二维旋光器件
- 本实用新型公开一种具有电场可调极化率的二维旋光器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极；该器件在激光入射下可产生旋...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- 文献传递
- 一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法
- 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- GaN基底上单层WS<sub>2</sub>调控生长及其光学性质研究
- 2020年
- 本文采用化学气相沉积法在GaN上调控生长了单层WS2,并研究了基底耦合效应对其光学性质的影响。研究结果显示,生长温度为850℃,可以生长出质量较好的单层三角形WS2;当温度大于900℃时,GaN基底表面开始发生分解,不利于材料生长。通过载气H2流量调节,可在基底上生长出满覆盖的WS2。GaN基底上生长的三角形WS2呈现良好的60?旋转对称性,通过GaN纳米柱上WS2的生长与第一性原理模拟计算,推测出了WS2/GaN样品的稳定结构。通过拉曼表征发现,GaN基底会对WS2产生一定的张应力作用,使E2g1拉曼峰和激子峰出现红移,并且由于WS2与GaN基底形成Ⅱ型异质结能带结构,WS2/GaN样品出现发光淬灭现象。本文为开发新型二维光电子器件提供了一定的实验依据。
- 曾昊孙保帆陈嘉俊吴志明吴雅苹李煦李金钗康俊勇
- 关键词：化学气相沉积氮化镓异质结
- 一种全电学调控的自旋发光探测一体器件及其制备方法
- 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX<Sub>3</Sub>二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和...
- 吴雅苹周江鹏张纯淼吴志明康俊勇
- 文献传递
- 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法
- 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法,包括依次相连的微波天线、阻抗匹配电路、微波整流器和储能单元；该微波整流器采用基于纳米磁性隧道结的自旋二极管。本发明的系统，采用自旋二极管，具有高工作带宽、宽动态范围的特性，且...
- 李煦吴雅苹吴志明康俊勇
- 文献传递
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀...
- 孔丽晶吴志明许飞雅陈婷吴雅苹康俊勇
- 文献传递
- 基于表面光电压谱的量子化能级测量
- 2023年
- 量子结构材料与技术在前沿科学领域的应用日益广泛,量子化能级的探测与调控具有重要的教学与科研意义.本文设计搭建基于表面光电压效应的量子化能级测量装置,控制步进电机带动闪耀光栅旋转,将氙灯的复色光分解为单色光,并照射到InGaN/GaN量子阱上,采集光电压信号得到其表面光电压扫描谱线,并结合光学偏振片、磁铁与控温装置等实现量子能级、自旋能级的探测以及能级的温度调控.
- 吴雅苹吴雅苹赵子锐张纯淼衣行健王一帆王新然
- 一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法
- 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- 文献传递
- 单层GaSe表面Fe原子吸附体系电子自旋性质调控
- 2017年
- Ⅲ族金属单硫化物因其优越的光电和自旋电子特性而备受关注,实现对其自旋性质的有效调控是发展器件应用的关键.本文采用密度泛函理论系统地研究了GaSe表面Fe原子吸附体系的几何构型及自旋电子特性.Fe/GaSe体系中Fe吸附原子与最近邻Ga,Se原子存在较强的轨道耦合效应,使体系呈现100%自旋极化的半金属性.其自旋极化贡献主要来源于Fe-3d电子的转移及Fe-3d,Se-4p和Ga-4p轨道杂化效应.对于Fe双原子吸附体系,两Fe原子之间的自旋局域导致原本从Fe转移至GaSe的自旋极化电荷量减少,从而费米能级附近的单自旋通道转变为双自旋通道,费米能级处的自旋极化率转变为0.研究结果揭示了Fe_n/GaSe吸附体系自旋极化特性的形成和转变机制,可为未来二维自旋纳米器件的设计与构建提供参考.
- 卢奕宏柯聪明付明明吴志明康俊勇张纯淼吴雅苹
- 关键词：密度泛函理论
