周少华
- 作品数：30 被引量：42H指数：4
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- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术自然科学总论更多>>
- 吉尔伯特型CMOS零中频混频器的设计
- 2012年
- 利用动态电流注入、共源节点谐振、改善2阶线性度性能技术,应用CMOS工艺,利用Candence设计了一款1.8V电源电压折叠式Gilbert型有源零中频混频器.电路仿真结果显示,混频器在1MHz,100kHz,10kHz处的单边带噪声系数为6.109,6.71,10.631dB,频率转换的增益为11.389dB,输入的3阶交调点为4.539dBm.
- 张武龙周少华
- 关键词：零中频CMOS工艺
- 一种基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器
- 本实用新型公开了一种基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，包括壳体，壳体的一侧外壁上固定有电机座，电机座的内底壁上通过锁紧螺栓安装有驱动电机，驱动电机的顶部固定有第一锥形齿轮，第一锥形齿轮上啮合有第二锥形齿轮，第二锥形...
- 李锐敏周少华邹华英
- 文献传递
- 基于压控单元的单电子晶体管宏模型被引量：1
- 2009年
- 在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.
- 周少华熊琦杨红官戴大康曾健平曾云
- 关键词：等效电路宏模型单电子晶体管
- 基于吉尔伯特型的CMOS射频混频器的设计被引量：2
- 2011年
- 采用多晶电阻作为输出负载、开关对的源极注入电流、共源节点串联电感、驱动级的源简并阻抗方法,提出了一种新型的双通道正交混频器,并采用Candence完成了电路设计.仿真结果表明:在电源电压为1.8V,本振信号输入功率为3 dBm的时,混频器在1 MHz中频处的单边带噪声系数为7.47 dB,在100 kHz中频处为9.35 dB,在10 kHz中频处为16.39 dB;变频增益降为8.46 dB.提高了线性度,且其三阶交调点为8.42 dBm.
- 周少华
- 关键词：正交混频器CMOS工艺
- 基于Si/Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的微波功率器件Ge组分的数值拟合计算
- 2005年
- 采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符。并得到一个最佳的Ge组分值。对器件的仿真设计具有实际指导意义。
- 曾健平周少华文剑李宇田涛
- 关键词：双极型微波功率器件SI1-XGEX
- 非对称性隧穿势垒Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟
- 2006年
- 介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年.从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾.
- 周少华杨红官
- 关键词：复合纳米结构单电子存储器电路模拟
- 现代高职电子专业人才培养研究与实践
- 2022年
- 针对现代电子企业对一线技术技能型应用人才的需求,提出在现代高职电子专业人才培养过程中加强学生德育人文素质的教育,注重学生合格的职业素养和品质以及电子行业企业从业的基本素养和能力的培养,重点培养学生的动手操作能力,以及使用语言、软件进行自动化设计的能力,使高职院校电子专业培养的毕业生能切实满足现代电子企业的人才要求,实现零距离上岗的目的。
- 周少华
- 关键词：现代高职电子专业
- 现代高职电子专业教学研究与实践
- 2021年
- 通过对现代电子技术行业企业对一线应用人才的需求,明确高职电子专业的培养目标,解构教材重组教学内容,以项目为驱动,设计制作电子电路作品为目标,在做中学来实施专业课程教学,引导学生在设计制作过程中学习掌握所要求的专业知识、具备的职业技术能力及素质。
- 周少华
- 关键词：电子专业教学研究
- 一种具有夜光功能的计算机键盘
- 本实用新型公开了一种具有夜光功能的计算机键盘，其包括夜光条、键盘身、内置无线发射器、夜光调节旋钮、功能按键、指示灯、夜光按键、夜光调色按键、商标槽、夜光开关、内置防水膜、无线接收适配器，夜光条设于键盘身左侧，内置无线发射...
- 龚亮周少华刘桂林龙晓庆
- 文献传递
- 双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器被引量：2
- 2005年
- 设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路.
- 杨红官周少华曾云施毅
- 关键词：量子点阵列
