周鸿仁
- 作品数：27 被引量：55H指数：4
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学机械工程更多>>
- 锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究
- 采用溅射技术,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤±10×10<'-6>/℃的锰铜薄膜.该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础,同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器.
- 杜晓松杨邦朝周鸿仁段建华
- 关键词：电阻温度系数溅射法
- 文献传递
- 超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究被引量：2
- 2004年
- 为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层。采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究。最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少,其绝缘电阻率和损耗分别可达1012O·cm和103量级;而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性。
- 崔红玲杨邦朝杜晓松滕林周鸿仁
- 关键词：电子技术锰铜传感器三氧化二铝绝缘薄膜电子束蒸发致密性
- 箔式锰铜传感器的新进展
- 2005年
- 箔式锰铜传感器主要应用于动高压的测试中,现有的箔式锰铜传感器采用有机物作为绝缘层,其测压上限为40GPa。而采用绝缘封装层为Al2O3薄膜的箔式传感器,可拓宽其测压上限。动高压测试结果表明,该传感器所承受的压力为55.32GPa,压阻系数为0.0272,传感器的延续时间可达2.5μm。
- 崔红玲杨邦朝杜晓松周鸿仁滕林
- 关键词：AL2O3薄膜
- 镱薄膜传感器压阻灵敏度的研究被引量：4
- 2004年
- 采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器,在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定,后者的压阻系数明显高于前者,并且大于箔式镱传感器的压阻系数,结合扫描电镜和电学性能测试分析,发现热处理有助于薄膜晶粒长大,降低薄膜电阻率,从而提高了镱薄膜传感器的压阻灵敏度。XRD测试分析结果表明,加压有促使薄膜晶粒长大的趋势。镱薄膜传感器制作工艺简单、性能稳定,在工业中具有广泛的用途。
- 滕林杨邦朝杜晓松周鸿仁崔红玲肖庆国
- 关键词：传感器准静态加载X射线衍射谱
- 薄膜式锰铜超高压力传感器
- 本发明为薄膜式锰铜超高压力传感器,无机绝缘材料基板1上有沉积的锰铜薄膜2和电极3,锰铜薄膜2和电极3上覆盖有无机绝缘薄膜4。锰铜簿膜2可用掩模或光刻方法刻蚀出图形,直接覆盖于基板上或电极上。电极3为铜或复合金属薄膜,厚度...
- 杨邦朝杜晓松周鸿仁刘秀蓉徐蓓娜
- 文献传递
- 新型箔式锰铜超高压力传感器被引量：1
- 2005年
- 为了提高锰铜超高压力传感器的测压上限，须采用超高压力下绝缘性能好的无机材料作为绝缘封装层。用Al2O3薄膜作箔式锰铜超高压力传感器的绝缘层，代替现有箔式锰铜计中所使用的粘胶剂及PTFE膜，从根本上消除高压旁路效应，提高传感器的测压上限。初步的动态超高压测试结果表明，该传感器所承受的压力为54．55GPa，压阻系数为0．0237GPa，延续时间可达1．6μs。
- 崔红玲杨邦朝杜晓松周鸿仁滕林
- 关键词：AL2O3薄膜绝缘层
- 镍薄膜温度传感器被引量：2
- 1989年
- 镍薄膜电阻器是近年来开发研究的新型测温元件。70年代末,日本报导了圆柱状镍膜测温电阻;1985年,联邦德国的Saufer-Cuinulus公司研制出其电阻温度系数等特性达到该国标准的镍薄膜电阻器(温度系数为6170ppm/℃),为此获得1985年度联邦德国传感器发明大奖。
- 周鸿仁刘秀蓉恽正中
- 关键词：温度传感器
- 薄膜式锰铜超高压力传感器
- 本发明为薄膜式锰铜超高压力传感器，无机绝缘材料基板(1)上有沉积的锰铜薄膜(2)和电极(3)，锰铜薄膜(2)和电极(3)上覆盖有无机绝缘薄膜(4)，锰铜薄膜(2)可由掩模或光刻方法刻蚀出图形，直接覆盖于基板上或电极上，电...
- 杨邦朝杜晓松周鸿仁刘秀蓉徐蓓娜
- 文献传递
- 锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究被引量：2
- 2002年
- 采用溅射技术 ,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化 ,获得了电阻温度系数 TCR≤± 10× 10 - 6 /℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础 。
- 杜晓松杨邦朝周鸿仁段建华
- 关键词：电阻温度系数溅射
- 温度传感器与快速测温被引量：7
- 1999年
- 快速测温在工农业生产、航天、环保、国防和科研中应用普遍,例如测量汽车发动机吸入空气的温度,要求热响应时间小于1s;环境温度测量,要求10～0.2s;深海水中温度测量要求100ms;内燃机燃烧室表面瞬态温度测量要求1～2ms;航天飞机主发动机温度测量要求0.4s;导单和宇航器研制过程气动试验中温度测量,要求50～100ms;测量冲击波和爆轰波波阵面的温度,则要求达到10ns。
- 周鸿仁刘秀蓉杜晓松徐蓓娜杨邦朝
- 关键词：温度传感器温度测量
