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姜联合

作品数:3 被引量:29H指数:2
供职机构:北京化工厂更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇荧光
  • 2篇荧光材料
  • 2篇基质
  • 2篇BI
  • 2篇CAS
  • 1篇形貌
  • 1篇荧光性
  • 1篇荧光性质
  • 1篇颗粒形貌
  • 1篇混合基质
  • 1篇光性质
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇复合基质
  • 1篇SR
  • 1篇TM
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 2篇钢铁研究总院
  • 2篇清华大学
  • 2篇北京化工厂
  • 1篇中国科学院
  • 1篇北京钢铁研究...

作者

  • 3篇姜联合
  • 3篇贾冬冬
  • 2篇朱静
  • 1篇刘玉龙
  • 1篇刘玉龙

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇第八届全国发...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1998
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Ca_(0.9)Sr_(0.1)S∶Bi^(3+),Tm^(3+)荧光材料的光学性质被引量:5
2000年
Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 +是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了 4 40 nm和 52 0 nm发射的激发谱 ,2 50 nm到 3 50 nm的激发的发射谱 ,以及 4 0 0 nm到 52 0 nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明 ,Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 + 有两个主要的能量传递体系 ,3 2 5nm的复合掺杂中心 Tm3 + 的 CT跃迁激发体系 ,和Bi3 + 的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在 4 53 nm处。在电子和空穴陷阱同时存在时 ,It=I0 [( 1 +γet) ( 1 +γht) ]-n,对于 Ca0 .9Sr0 .1S∶Bi3 + ,Tm3 +材料 γh=0 .0 1 68,γe=0 .0 0 0 1 ,n=1 .1。Tm3 +的电子陷阱深度约为 0 .5e V,比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深。考虑复合基质材料的线性关系 ,电子陷阱的深度可表示为 De=βe-αx;空穴陷阱的深度可表示为 Dh=( βhc-αhx) x+( βhs-αhx) ( 1 -x)。
贾冬冬吴伯群姜联合朱静
关键词:复合基质光学性质
Ca_xSr_(1-x)S: Bi,Tm,Cu和CaS: Eu荧光材料的研究被引量:27
1998年
所作的一部分工作是对长余辉的荧光材料CaxSr1-xSBi,Tm,Cu(x=0,0.75,1)进行了研究.CaS和SrS两种基质材料高温互溶后,因为基质的晶体微结构上的变化引起Bi3+离子荧光效应的变化,即发光的发射波数发生改变.另一部分工作是对CaSEu加入陷阱机制后发光效应的研究.新的陷阱机制的引进,使得其余辉效应有较大的延长.
贾冬冬姜联合刘玉龙朱静
关键词:荧光材料混合基质
CaS:Eu,CaS:Bi荧光材料的颗粒形貌及荧光性质
贾冬冬姜联合
关键词:荧光材料颗粒形貌荧光性质
共1页<1>
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