孙中亮
- 作品数：2 被引量：8H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究被引量：7
- 2013年
- 本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大;发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小;发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.
- 李兴冀兰慕杰刘超铭杨剑群孙中亮肖立伊何世禹
- 关键词：双极晶体管低能电子电离辐射
- 不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究被引量：1
- 2013年
- 本文采用60MeV Br离子、5MeV质子和1MeV电子等三种辐射源,针对CC4013型互补金属氧化物半导体器件(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)进行辐射损伤研究.通过Geant4程序计算了该器件电离辐射吸收剂量与芯片厚度的关系,经过计算,在相同注量下,60MeV Br离子的电离吸收剂量最大,1MeV电子产生的电离吸收剂量最小.应用Keithley4200-SCS半导体特性分析仪在原位条件下研究了CC4013器件电性能参数随辐射吸收剂量的变化关系.测试结果表明,相同电离辐射吸收剂量下,1MeV电子对CC4013器件的阈值电压参数影响最大,5MeV质子其次,60MeVBr离子的影响最弱.
- 李兴冀刘超铭孙中亮兰慕杰肖立伊何世禹
- 关键词：CMOS器件电离辐射
