孙捷
- 作品数：9 被引量：35H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 自组装半导体量子点的电子学性质研究进展被引量：2
- 2005年
- 自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析.
- 孙捷金鹏王占国
- 关键词：量子尺寸效应纳米电子器件
- 基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器被引量：1
- 2006年
- 采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm。并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调谐光滤波器透射谱的峰值半高宽的影响。
- 侯识华孙捷毛容伟吴旭明马骁宇谭满清陈良惠
- 关键词：可调谐滤波器分布布拉格反射镜FABRY-PEROT
- 128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器被引量：3
- 2012年
- 量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱和三端电极引出的器件结构研制出128×128中/长波双色量子阱红外探测器阵列。该结构实现了同像元同时引出双色信号。器件像元中心距为40μm,像元有效面积为36μm×36μm。探测器芯片与读出电路互连并完成微杜瓦封装。在65 K条件下测试,峰值波长为:中波5.37μm,长波8.63μm,器件的平均峰值探测率为:中波4.75×109cmHz1/2W-1,长波3.27×109cmHz1/2W-1。并进行了双波段的红外演示成像。
- 苏艳梅种明曾一平胡小燕于艳孙捷张晓燕
- 关键词：红外探测器
- 激光分子束外延技术及其在氧化锌薄膜制备中的应用被引量：17
- 2003年
- 与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比,激光分子束外延技术(L MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术,在氧化锌薄膜生长的研究中因其独特的优越性显示出越来越强的竞争力。在讨论ZnO薄膜基本特性的基础上,较为详细地论述了激光分子束外延技术及其在氧化锌薄膜制备中的应用和取得的新进展。
- 王兆阳胡礼中孙捷孟庆端苏英美
- 关键词：ZNO薄膜分子束外延激光分子束外延
- 自组装半导体量子点在纳米电子器件中的应用被引量：4
- 2005年
- 随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程。自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中。本文按纵向输运器件、横向输运器件的分类扼要评述了该领域的最新进展,并对待解决的问题和发展前景作了分析。
- 孙捷
- 关键词：微电子工艺量子特性纳米电子器件
- 集成电路薄膜工艺的新进展——化学液相淀积
- 2003年
- 介绍了化学液相淀积法制备氧化物薄膜的工艺过程及其在集成电路生产中的应用,并报道了一些最新研究成果。
- 孙捷孙迎春
- 关键词：集成电路半导体器件可靠性
- PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
- 2006年
- 用PLD方法在S i(1 1 1)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650°C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善.
- 王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
- 关键词：ZNO薄膜荧光光谱
- 化学液相沉积法制备Al_xO_y薄膜被引量：7
- 2003年
- 给出了用化学液相沉积法 (CLPD)制备AlxO y/Si薄膜的方法 ,室温下生长 2h得到AlxO y/Si薄膜 ,其退火温度为 10 0 0℃ ,退火时间 2h .对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析 .结果表明 ,薄膜的显微硬度在退火前为 5 2 0 2 .0N/mm2 ,退火后为 14 5 33.5N/mm2 ,增加近 3倍 ;高温退火去掉了膜内的OH-1,同时使薄膜晶化 ,晶体薄膜的O/Al比例为 1 3.
- 饶文雄孙捷宋昌烈李成仁李淑凤胡礼中
- 关键词：氧化铝薄膜光波导放大器显微硬度晶化
- GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制(英文)被引量：1
- 2005年
- 报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性 .用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料 ,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料 .GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线 (0 0 0 2 )对称衍射和 (10 12 )斜对称衍射半宽分别为 180″和 185″ ;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到85 0cm2 /(V·s) .基于以上材料 ,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器 ,阈值电流密度分别为 5 0和 5kA/cm2 ,激光发射波长为 4 0 5 9nm ,脊型波导结构激光器输出光功率大于 10 0mW .
- 杨辉陈良惠张书明种明朱建军赵德刚叶小军李德尧刘宗顺段俐宏赵伟王海史永生曹青孙捷陈俊刘素英金瑞琴梁骏吾
- 关键词：GAN基激光器多量子阱阈值电流密度
