安旭
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：黑龙江大学电子工程学院黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金黑龙江省海外学人科研资助项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺电子电信机械工程更多>>
- 双压法自动测量湿度装置的研制被引量：3
- 2003年
- 介绍了一种常温下双压法自动测量湿度装置,阐述了湿度测量电路及其软件的工作原理,给出此装置的技术性能和试验结果。并对主要技术关键及解决措施进行了讨论。
- 安旭曲伟孔照宇
- 关键词：湿度发生装置露点仪
- 图像中值滤波的VC编程
- 2003年
- 1、原理图象中值滤波一般采用滑动窗口法,设窗口为L×L的矩形(L为奇数)。该窗口在被处理的图象上逐点移动,内含L×L个象元{f_k}。每次移动均计算一次{f_k}的中值[f_k](相当将{f_k}的灰度值按大小排列,取中值)。并将所得结果g依次排列,生成滤波图象。为获得实验所需的受扰图象,用VC编程产生三种噪声图象。
- 安旭吴丹宋建华
- 关键词：图像中值滤波VC语言编程图像处理
- 直流磁控溅射Ni_(49.54)Mn_(29.59)Ga_(20.87)磁驱动记忆合金薄膜的XPS研究
- 2007年
- 采用直流磁控溅射技术沉积了Ni49.54Mn29.59Ga20.87磁驱动形状记忆合金薄膜。XRD结果表明,Ni49.54Mn29.59Ga20.87薄膜室温下为5层调制型结构马氏体。X射线光电子能谱(XPS)分析表明,放置于空气中2个月的沉积态薄膜表面吸附少量氧和碳杂质。随Ar+刻蚀深度的增加,表面C杂质易被剥蚀掉,而部分氧杂质以MnO状态存在;Ni、Mn、Ga元素含量由薄膜表面向内层逐渐增加,化学价由正价向零价转变。
- 高来勖刘超高智勇安旭蔡伟赵连城
- 关键词：NI-MN-GA溅射
- Ar工作压强对磁控溅射Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆薄膜成分的影响被引量：2
- 2006年
- 采用直流磁控溅射技术在单晶硅衬底上沉积Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜。试验结果表明,Ar工作压强对Ni-Mn-Ga薄膜化学成分有显著影响。Ni含量随Ar工作压强的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势。随Ar工作压强的升高,薄膜的e/a值逐渐增大,薄膜的相变温度逐渐升高,室温下可以获得具有四方结构马氏体相的Ni-Mn-Ga薄膜。
- 刘超安旭高来勖高智勇蔡伟赵连城
- 关键词：NI-MN-GA形状记忆铁磁性
- 三芳胺聚西夫碱作为空穴输送层的有机发光器件的研制
- 2002年
- 报导了利用自制的三芳胺聚西夫碱作为空穴输送层制成了有机电致发光器件。它的结构为阳极/ITO/schiff/Alq3/Al/阴极。空穴输送层和发光层的厚度均为60nm,发光频谱峰值在500nm附近,较Alq3的发光频谱峰值向短波方向有所移动。
- 安旭张国生雷雨刘德功李新牛海君
- 关键词：有机发光器件有机电致发光器件发光原理
- 基于狭缝扫描的表面等离子体共振成像被引量：1
- 2014年
- 利用表面等离子体共振技术进行电介质样品成像研究.采用高数值孔径显微物镜作为耦合元件,632.8nm He-Ne激光会聚激发金膜产生表面等离子体共振,通过狭缝光阑限制光束入射角,对金膜上的氮化硅光栅进行成像.反射光由放置在样品像方共轭面上的CCD摄像机接收,获得样品的表面等离子体共振像.通过扫描移动狭缝,得到入射角从44°至54°的扫描样品图像,从图像中提取样品各点的表面等离子体共振曲线,由计算机重构出样品的表面等离子体共振角谱灰度图.
- 高来勖李松权叶红安刘书钢蒋式弘柳春郁安旭
- 关键词：物理光学表面等离子体共振显微物镜
