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康晓黎

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇亮度
  • 2篇光腔
  • 2篇发光
  • 2篇高亮
  • 2篇高亮度
  • 2篇GAALAS
  • 2篇GAALAS...
  • 2篇大光腔
  • 1篇调制
  • 1篇调制特性
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱激光...
  • 1篇液相外延
  • 1篇异质结
  • 1篇双异质结
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇红色发光
  • 1篇二极管

机构

  • 7篇浙江大学

作者

  • 7篇康晓黎
  • 6篇宋南辛
  • 4篇李锡华
  • 4篇王明华
  • 1篇赵旭
  • 1篇邹胜华
  • 1篇陈高庭

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光子学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇光学仪器

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器分析与实验
1995年
本文分析了非对称大光腔结构在提高ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器输出光功率方面的优越性，计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数，在上述分析的基础上，研制了非对称大光腔（Ａ－ＬＯＣ）ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器，其未涂覆输出光功率达８５ｍＷ以上，这一结果与理论计算基本符合。
康晓黎李锡华朱丽津宋南辛
关键词：激光器大光腔
GaAlAs低温液相外延研究
1996年
本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阶材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关系，以及在６００℃下Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ外延层中工值与液相中Ａｌ含量的关系的实验结果；并且用扫描电镜测得在６００℃下１０ｓ时间生长的Ｇａ＿（０．９）Ａｌ＿（０．１）Ａｓ层厚为３０ｎｍ．
康晓黎邹胜华宋南辛
关键词：液相外延GAALAS
高亮度红色发光二极管研究被引量：1
1998年
报导了高亮度红色发光二极管的主要研究技术及初步结果。已研制成的红色发光二极管在正向电流为２０ｍＡ时，发光强度为４００ｍｃｄ。研究中采用了具有独创性的双层石墨舟液相外延技术，并改进了电极制作技术，使发光管的正向压降显著降低。
康晓黎李锡华王明华陈德华宋南辛
关键词：高亮度红色发光二极管发光二极管
高亮度红色Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As/Ga<sub>1-y</sub>Al<sub>y</sub>As发光二极管研究
1997年
研制成功了 Ga1-xAlxAs/Ga1-yyAlyAs 双异质结红色(670nm 发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延,并改进了电极制作技术,取得了很好的结果。
王明华康晓黎李锡华陈德华宋南辛
基于三层模型的多量子阱激光器调制特性的SPICE模拟
2001年
从三层速率方程推导出多量子阱激光器的等效电路模型 ,并用数量而不是密度来描述载流子及光子行为 ,避开了传统方法中处处都要涉及到的体积参量 ,解释了传统的二层模型所不能解释的多量子阱 (MQW )激光器中多量子阱内载流子不均匀分布问题 ,用SPICE进行了调制特性的模拟及讨论。激光器件的模拟以层次性的方式实现 ,对使用EDA工具进行集成光学器件和系统仿真进行了探索。
赵旭康晓黎宋南辛王明华
关键词：调制特性SPICE模拟
GaAlAs双异质结高亮度红色发光二极管研究
1998年
本文报导了为提高ＧａＡｌＡｓ双异质结红色发光二极管的量子效率所采取的技术及初步研究成果。已研制成的高亮度红色ＬＥＤ的发光强度为４００ｍｃｄ，由于电极制作技术的改进，其正向电压降低于国外同类产品。
康晓黎李锡华王明华陈德华宋南辛
关键词：双异质结发光二级管LED
非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器及其特性
1994年
本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点；报道了我们研究非对称大光腔ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器的初步结果：未涂覆单而输出光功率（ＣＷ）大于８５ｍＷ；阈值电流范围为６０—８０ｍＡ；微分量子效率每面２５％；器件为基横模工作．
康晓黎宋南辛朱丽津李锡华张银女陈高庭
关键词：激光器大光腔GAALAS/GAAS
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