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张天宜

作品数:13 被引量:9H指数:3
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺理学经济管理化学工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇单晶
  • 4篇形变
  • 3篇循环形变
  • 3篇SIC纤维
  • 2篇单晶生长
  • 2篇双晶
  • 2篇铜单晶
  • 2篇纤维复合
  • 2篇纤维复合材料
  • 2篇晶体取向
  • 2篇复合材料
  • 2篇
  • 2篇复合材
  • 1篇导模
  • 1篇形变带
  • 1篇形变过程
  • 1篇应力
  • 1篇应力和
  • 1篇熔体
  • 1篇熔透

机构

  • 13篇中国科学院金...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇沈阳工业大学

作者

  • 13篇张天宜
  • 4篇王中光
  • 2篇李广义
  • 2篇夏月波
  • 2篇段玉华
  • 2篇葛庭燧
  • 2篇宫波
  • 1篇龙期威
  • 1篇徐永波
  • 1篇苏革
  • 1篇费广涛
  • 1篇周星
  • 1篇刘民治
  • 1篇龙起易
  • 1篇邓钧

传媒

  • 4篇金属学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇力学学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇"97计量测...
  • 1篇第九届全国特...
  • 1篇第七届全国疲...

年份

  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1981
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅰ.循环形变行为被引量:3
1994年
在塑性分切应变幅(γpl)为10^(-4)─10^(-2)的范围,研究了双滑移取向([034],[117])和单滑移取向([125])Cu单晶的循环硬化及饱和行为.[034]晶体的初始循环硬化规律与[125]晶体的相似,在γpl小于10^(-3)的范围,硬化速率(θ_(0.2))较低,且不依赖于γpl;当γpl>10^(-3)时,硬化速率随γpl的增加快速上升.[117]晶体在10^(-4)<γpl<5×10^(-3)范围的初始硬化速率显著高于其它二种晶体.二种双滑移取向晶体在快速硬化之后、均有明显的软化现象.[034]晶体的循环应力-应变曲线(CSSC)有一平台区,饱和应力与单滑移晶体的相近,但平台区较短(上限为γpl~4.3×10^(-3)).[117]晶体的CSSC几乎不存在平台区,饱和应力是γpl的单调升函数,与多晶体的CSSC相似.上述循环形变行为与不同滑移系之间的位错反应特点一致.
宫波王中光张轶伟李广义张天宜
关键词:铜单晶循环形变
双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅱ.滑移带和形变带被引量:4
1994年
用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向([034],[117])Cu单晶循环饱和后的表面形貌,塑性分切应变幅(γpl)低于10^(-3)时,[034]晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带(PSBs)占据,次滑移只在边缘区域启动,其PSBs细窄(<1μm),体积百分数在1%以下.γpl>10^(-3)时,次滑移开始在试样的中部启动,同时,表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带(DBI,DBII),滑移带在形变带内集中.[117]晶体在γpl=4.4×10^(-4)时,双滑移现象已十分明显.γpl>10^(-3)时,表面也形成与前者相似的形变带.DBI的惯习面与主滑移面平行([034]晶体)或接近([117]晶体),DBII的惯习面则与前者垂直,文章讨论了形变带形成的可能原因.
宫波王中光张轶伟李广义张天宜
关键词:滑移带形变带铜单晶
石油精炼加氢裂化反应筒焊接缺陷的显微分析
1981年
用引进的20CrMo9钢分段焊接制成石油精炼加氢裂化反应筒,内径1000毫米,壁厚90毫米,使用压力200公斤,壁温<300℃。实际运行六年,在使用过程中经无损检测发现沿环缝有裂纹产生并逐年增长。为了确定裂纹的属性及产生的原因,进行了解剖检验与观察分析。一、缺陷位置的测定与缺陷断口的获得为了准确地暴露缺陷。
徐永波张天宜刘民治
关键词:未焊透加氢裂化破坏加氢焊接气孔
Zn单晶解理裂纹前端的范性行为
1990年
用蚀坑法观察了 Zn 单晶解理裂纹前端位错。结果表明,裂纹前端位错密度分布具有 DFZ模型预言的特征,且裂纹尖端与第一个位错的距离 X_1(即 DFZ 值)以及范性区位错数 N 均与根据Majumdar 和 Burns 的 DFZ 理论推算数值吻合较好。在此基础上,对裂纹前端发射位错和位错屏蔽裂纹前端等问题作了讨论。
傅苒龙起易张天宜龙期威
Al单晶/SiC纤维复合材料界面剪切强度和声发射监测
单晶/SiC纤维模型复合材料,使纤维从Al基单晶中拔出,观测了界面的剪切强度。采用声发射监听,观测了界面的脱粘乃至脱粘的扩大,直到完全脱粘的全过程。结果表明:界面整体滑动时伴随着滑动的受阻情况,当受阻解脱后界面才能稳定的...
张天宜王中光
关键词:界面剪切强度声发射监测界面脱粘纤维复合材料金属基复合材料
Al-Li合金单晶生长
1997年
低密度、高模量Al-Li合金是一种轻质、新型结构材料。在航空、航天工业中,有着广泛应用发展的前景。由于该材料在常温下存在脆性问题,引起人们的极大关注。生长Al-Li合金单晶的目的,在于深入研究它的加工形变特性和强化本质,给该材料的应用提供理论依据。合金料坯:Al中加入2.5wt.%Li元素合金铸锭,它是用99.999%高纯化和99.99%纯度的Li,在真空感应炉中通惰性气体保护熔炼而成。而后,经460℃下24h均匀化退火处理;450℃锻造成20×20mm棒材,再经多次冷轧成10×10mm方型棒,用作生长单晶的备材。单晶生长:用熔体法反复实验,存在两个问题:(1)Al-Li合金重熔在大气中制备单晶,因Li金属是非常活泼的一种元素,极易氧化;并且同其它元素也很容易化合,往往得不到固有成分的含量。若在慢速生长情况下,熔体保留时间过长,Li含量可完全失去。(2)用立式炉子Bridgman方法,因Li分解而挥发或扩散,即是在真空中进行,也会造成较大偏析。化学分析得知:在试样下端往往无Li含量,上端富集比原坯样Li含量高出很多。经高温快速或较低些温度慢速,反复进行生长实验,都得不到成分均匀的晶体,而且也很难生长出单晶。?
张天宜
关键词:单晶生长
单晶Al基/SiC纤维复合材料的界面断裂
1997年
纤维增强金属基复合材料,它是人为把两种不同特性的材料结合在一起,两者之间构成异质界面,这种异质界面结合的好坏,直接影响到复合材料的性能。目前在新型复合材料研究中,异质界面问题,引起人们的极大关注。若制备成:周围是Al单晶,SiC纤维在中间部位,成为一种模型复合材料,就在研究异质界面中简化了因Al多给晶界面带来的复杂性。本工作采用熔体导模工艺,制备出单晶Al基/SiC纤维复合材料。有两种界面存在的试样:一种是在较低温度690℃下,快速生长出无反应物界面;另一种是在较高温度850℃下,慢速生长出有反应物Al4C3化合物的界面。开展了Al单晶与SiC纤维相对拉拨实验,促使SiC纤维拨出,来研究异质界面断裂的过程。并且初步尝试用声发射监听。观测了有反应物和无反应物界面应力,比较了退火前后的界面剪切强度,以及界面在脱粘、滑动过程中,声发射信号的变化。实验结果表明:熔体法制备的单晶Al基/SiC纤维复合材料,有反应物的界面在拉拨实验中,测出的应力低于无反应物的界面应力,而且界面剪切强度也比无反应物的低。这说明界面存在的Al4C3是一种脆性化合物,它能降低界面强度。用声发射监听,在信号变化规律上,观测到界面断裂有一个过程?
张天宜
关键词:纤维复合材料晶体生长铝基复合纤维
SiC纤维/Al单晶模型复合材料的制备
制的晶体生长装置,在特殊设计石墨加工的模具坩埚里。采取熔体导模工艺和坩埚下降技术,在同一条件下降一次生长多个取向相同,Al基单晶/SiC纤维模型复合材料。增强体SiC纤维在中间位置,周围是基体Al单晶。该文主要报道制备的...
张天宜王中光
关键词:单晶生长
双晶铝晶界弛豫的转变温度被引量:2
1993年
测量了夹角分别为60°和153.4°的[110]对称倾侧铝双晶晶界的扭转滞弹性蠕变曲线,指出了晶界的弛豫强度在低于温度T_0时变为零,此温度(T_0)约等于该金属的熔点温度(T_m)的二分之一,这说明晶界的内部结构在这个温度的附近发生了显著的变化。
段玉华葛庭燧张天宜
关键词:晶粒间界弛豫转变温度
滑移取向对循环形变Al单晶的应力响应、内耗和超声衰减的影响
1992年
本文报道了不同取向Al单晶体在循环形变过程中的应力响应、内耗和超声衰减的变化及它们之间的关系,试验结果表明,循环应力σ、内耗Q^(-1)和超声衰减△α对晶体取向有明显的依赖性,单滑移取向和多滑移取向晶体之间,上述三量的差别很大,对同一取向晶体,σ增加对应着Q^(-1)减少和Δa增加,但Δa达到最大值需要的循环周次少于σ达到最大值所需的循环数,而Q^(-1)与σ则基本上同时达到最低值和最大值。
夏月波张天宜费广涛周星
关键词:晶体取向循环形变内耗单晶
共2页<12>
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