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张志坤

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：大连理工大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇高导电
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅薄膜
  • 2篇紫外线
  • 2篇微机械
  • 2篇纳米
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇高透明
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇MOS器件
  • 1篇低维
  • 1篇电子器件
  • 1篇丁酸酯
  • 1篇酸酯
  • 1篇碳化硅基
  • 1篇退火
  • 1篇退火工艺

机构

  • 7篇大连理工大学
  • 1篇辽宁师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 7篇张志坤
  • 6篇边继明
  • 4篇刘维峰
  • 4篇秦福文
  • 2篇毕凯峰
  • 2篇刘洪珠
  • 2篇刘艳红
  • 2篇骆英民
  • 1篇章俞之
  • 1篇孙景昌

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究
以GaN、SiC和ZnO为代表的宽带隙半导体材料，有望突破第一代半导体材料Si和Ge，以及以GaAs和InP为代表的第二代半导体材料在光电子技术和电力电子技术发展方面所面临的材料极限，因而被称作第三代半导体材料。其中Zn...
张志坤
关键词：ZNO纳米结构SIC薄膜MOS器件半导体材料
一种β－碳化硅薄膜的制备方法
本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下...
边继明张志坤毕凯峰刘艳红刘维峰秦福文
文献传递
一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法
本发明提供一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法。所述可吸收紫外线高透明的复合薄膜由原料旋涂而成，所述原料包括：氟聚合物水分散液、占氟聚合物水分散液重量1.5％～5.0％的2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸...
刘洪珠边继明张志坤
文献传递
一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件
本发明涉及一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件。其特征是在具有高导电、导热性能的石墨衬底材料表面上，采用射频磁控溅射方法，依次生长绝缘层（如：SiO<Sub>2</Sub>、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
边继明张志坤秦福文刘维峰骆英民
文献传递
石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)
2014年
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料，即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现在室温条件下，准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射，基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光，并且这种低维ZnO材料／石墨衬底复合结构在300～800nm光谱范围内具有较低的反射率。本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义。
张志坤章俞之边继明孙景昌秦福文刘维峰骆英民
关键词：ZNO光致发光
一种β-碳化硅薄膜的制备方法
本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下...
边继明张志坤毕凯峰刘艳红刘维峰秦福文
文献传递
一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法
本发明提供一种可吸收紫外线高透明的复合薄膜及其制备方法。所述可吸收紫外线高透明的复合薄膜由原料旋涂而成，所述原料包括：氟聚合物水分散液、占氟聚合物水分散液重量1.5％～5.0％的2,2,4‑三甲基‑1,3‑戊二醇单异丁酸...
刘洪珠边继明张志坤
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