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张志浩

作品数：119 被引量：7H指数：1
供职机构：广东工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 112篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 50篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 69篇射频
  • 66篇放大器
  • 56篇功率放大
  • 56篇功率放大器
  • 52篇电路
  • 40篇射频功率
  • 39篇射频功率放大...
  • 25篇晶体管
  • 20篇射频开关
  • 17篇偏置
  • 15篇增益
  • 13篇堆叠
  • 11篇低噪
  • 11篇低噪声
  • 11篇电路结构
  • 10篇电压
  • 10篇信号
  • 10篇功率增益
  • 8篇双频
  • 8篇通信

机构

  • 119篇广东工业大学
  • 2篇广州穗源微电...
  • 2篇河源广工大协...
  • 1篇佛山臻智微芯...

作者

  • 119篇张志浩
  • 38篇余凯
  • 34篇林俊明
  • 16篇黄亮
  • 14篇陈建强
  • 11篇李思臻
  • 6篇郑耀华
  • 6篇李嘉进
  • 5篇刘斌
  • 4篇朱晓锐
  • 3篇张艺
  • 3篇陈锦涛
  • 3篇刘祖华
  • 2篇曹江中
  • 2篇王卓
  • 2篇唐杰
  • 2篇陈忠学
  • 1篇项颖
  • 1篇张文慧
  • 1篇刘钊

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 6篇2024
  • 34篇2023
  • 12篇2022
  • 7篇2021
  • 4篇2020
  • 12篇2019
  • 9篇2018
  • 6篇2017
  • 24篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2010
共 119 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SOI CMOS射频开关电路结构
本发明公开一种SOI CMOS射频开关电路结构，包括带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换电路以及相对电压偏置开关核电路，逻辑电平连接至所述解码器的输入端；所述带隙基准电路的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输...
张志浩章国豪林俊明余凯李思臻黄亮
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一种输出匹配网络可重构的双频功率放大器
本发明公开了一种输出匹配网络可重构的双频功率放大器，包括：输入匹配网络、第一MOS管、第二MOS管、第一传输线、第二传输线、第三传输线、第一电容和多层板；通过控制电压信号控制第二MOS管打开，采用第二MOS管、第一传输线...
陈建强张志浩章国豪
一种HEMT低噪声放大器旁路结构
本发明公开了一种HEMT低噪声放大器旁路结构，射频输入端通过所述隔直电容连接至所述第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极连接至所述第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极通过所述隔直电容C<Sub>2</Sub>连接至射频输出端；...
张志浩钟立平李嘉进章国豪
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一种射频功率放大器输出匹配电路结构
本实用新型公开了一种射频功率放大器输出匹配电路结构，包括功率放大管，扼流电感，功率放大管输出端电容，二次谐波网络以及宽带匹配网络；二次谐波网络为二端网络；宽带匹配网络包括由电感电容组成的带通匹配网络，以及隔直电容。本实用...
林俊明章国豪张志浩余凯郑耀华
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一种功率放大器参数振荡的仿真识别方法和系统
本发明公开了一种功率放大器参数振荡的仿真识别方法和系统，以谐波平衡分析仿真控件为基础，搭建功率放大器电路参数振荡仿真平台，仿真激励源包括基波源和子谐波源，取基波源和子谐波源两者的频率的最大公因子作为谐波平衡分析仿真控件的...
陈建强张志浩彭林章国豪
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一种用于射频开关的低功耗负压产生器
本发明提供的一种用于射频开关的低功耗负压产生器，在非交叠时钟电路和电荷泵之前，设置有单稳态触发器和压控振荡器，单稳态触发器能够在开关通道选择信号跳变时，由稳态转变为暂稳态，压控振荡器在单稳态触发器处于暂稳态期间，其时钟频...
麦彩凤张志浩章国豪刘斌
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一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器
本发明公开了一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器，包括输入匹配电路，输出宽带匹配电路，偏置电路A，偏置电路B，以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路；信号源通过输入匹配电路连接功率放大电路的最底层的晶体...
林俊明章国豪张志浩余凯黄亮
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一种双频等分威尔金森功分器及设计方法
本发明公开了一种双频等分威尔金森功分器及设计方法，一种双频等分威尔金森功分器，包括分别连接有负载的第一端口、第二端口和第三端口，第一段传输线网络，第二段传输线网络，以及RLC并联谐振网络；第一段传输线网络由第一传输线和第...
林俊明章国豪张志浩余凯唐杰朱晓锐蔡秋富
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Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关
2024年
基于0.5μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计了一款高功率吸收型单刀双掷开关芯片。芯片采用堆叠技术和前馈电容技术来提高功率容量和线性度。通过在传统串并联结构的输出端口引入串并联阻容匹配网络,实现了芯片在导通和关断状态下的良好端口匹配。该开关芯片的尺寸为0.82 mm×0.37 mm。实测结果显示,在0.7~6.0 GHz的工作频段内,该开关实现了低于1.1 dB的插入损耗、高于36 dB的隔离度、优于15 dB的通路回波损耗和优于10 dB的断路回波损耗。此外,0.1 dB功率压缩点在1、2、4和6 GHz时,均约40 dBm。
陈梓雅张志浩周杰海李玮鑫章国豪
关键词：高功率高隔离阻抗匹配
一种具有体区自适应偏置功能的CMOS SOI射频开关结构
本发明涉及射频开关领域，尤其涉及一种具有体区自适应偏置功能的CMOS SOI射频开关结构，包括若干电阻、若干BC nMOS开关管和若干FB nMOS偏置管，将BC nMOS开关管的体区连接到“二极管连接”的FB nMOS...
张志浩章国豪余凯李思臻黄亮陈思弟林俊明
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