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彭邦华

作品数:3 被引量:7H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇碳纳米管
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇电场
  • 1篇极化作用
  • 1篇CVD
  • 1篇CVD法

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇彭邦华
  • 2篇刘忠范
  • 2篇张锦
  • 2篇张永毅
  • 1篇姚亚刚

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
电场扰动CVD法选择性生长半导体性单壁碳纳米管
<正>金属性和半导体性单壁碳纳米管在未来的电子器件中有着不同的用途。现有的方法制备出的单壁碳纳米管都是金属性和半导体性的混合物,这直接影响着碳纳米管在器件中的应用。为此,人们寻求各种方法优先生长或者分离金属性和半导体性单...
彭邦华张永毅王星昱张锦刘忠范
关键词:单壁碳纳米管极化作用
文献传递
碳纳米管生长过程中的电场效应研究
碳纳米管独特的结构和丰富的性能使其有望成为纳电子器件领域的核心材料之一。精确控制碳纳米管的直径、导电属性甚至手性是将其应用于各个领域中的关键。本论文以碳纳米管的分离为研究目标,系统研究了电场效应在CVD体系对碳纳米管生长...
彭邦华
超长单壁碳纳米管的化学气相沉积生长被引量:7
2007年
自单壁碳纳米管被发现以来,由于其独特的结构、优越的性能和广阔的应用前景而备受关注.超长单壁碳纳米管的制备对单壁碳纳米管基本性质的研究和实际应用都具有重要意义.人们在超长单壁碳纳米管的定点、定向生长和构筑各种结构方面做了很多工作并取得很大进步,但目前仍存在一些挑战性的问题.本文就在基底表面上利用化学气相沉积法生长超长单壁碳纳米管的生长条件、各种表面结构的构筑、生长机理等方面的问题做一综述.
彭邦华张永毅姚亚刚张锦刘忠范
共1页<1>
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