徐万劲
- 作品数：63 被引量：121H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
- 2001年
- 从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In
- 邢启江徐万劲武作兵
- 关键词：光弹效应半导体材料
- 一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用
- 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提...
- 秦国刚宿世臣侯瑞祥徐万劲臧之昊李磊
- 文献传递
- 以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件
- 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高...
- 秦国刚孟虎戴伦徐万劲
- 文献传递
- 五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算
- 1998年
- 本文将五元系分为两大类；并提出用三维空间中的立体图形展示五元系化合物的组分分布；提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互溶隙范围的计算公式，并在此基础上计算了与ＧａＡｓ衬底晶格匹配的ＡｌＧａＩｎＰＡｓ的等禁带宽度曲线和互溶隙的范围．
- 徐自亮徐万劲李力杨澄清刘弘度
- 关键词：化合物半导体晶格常数
- 一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
- 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，...
- 秦国刚李磊侯瑞祥姚利徐万劲
- 文献传递
- Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响
- 2011年
- 利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度,还明显地移动电致发光的峰位。Ag含量越高,颗粒越大,发光峰位越红移。氧化硅中的发光中心与纳米Ag间的电磁相互作用,可用来定性解释这一实验结果。这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料。
- 冉广照文杰尤力平徐万劲
- 关键词：电致发光AG纳米颗粒
- 一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法
- 本发明公开了一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使固态杂质源中的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入硅...
- 秦国刚侯瑞祥李磊徐万劲
- 光弹效应在光电子器件中的应用被引量：1
- 2002年
- 在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2～2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用.
- 邢启江徐万劲高文胜袁志军孙锴王爱民
- 双芯光纤光分插复用器的理论分析和设计被引量：10
- 2001年
- 本文介绍了双芯光纤光分插复用器的工作原理、结构和功能 ,并利用耦合模理论分析了器件的工作特性 ,讨论了各部分参数对上 /下路特性的影响。结果表明 ,为同时实现上路和下路功能 。
- 孙锴安宏林徐万劲崔晓明林祥芝刘弘度
- 关键词：光纤光栅双芯光纤光分插复用器
- 磁控溅射技术进展及应用(上)被引量：92
- 2005年
- 近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。
- 徐万劲
- 关键词：磁控溅射技术
