徐寿定
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 低温热处理对LEC-SI-GaAs中缺陷浓度和电学性质的影响
- 张砚华徐寿定
- 关键词：电学性质
- RTA对SI-GaAs的深中心的影响
- 徐寿定张砚华
- 关键词：砷化镓晶体
- 高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质
- 1983年
- 用Van der Pauw法测量高纯VPE-GaAs和LPE-GaAs样品在20—300K温度范围内的电学性质,分析了它们的电子散射机理.最纯的VPE-GaAs样品峰值迁移率高达3.76×10~5cm^2/V·s,LPE-GaAs样品的峰值迁移率为2.54×10~5Cm^3/V·s.这两个样品的总离化杂质浓度分别为 7.7 × 10^(13)cm^(-3)和 1.55 ×10^(14)cm^(-3).
- 徐寿定李瑞云
- 关键词：温度范围电子迁移率电导率电学性质
- SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
- 1991年
- 本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶热不稳定的本质进行合理解释,而且还为研制高热稳定的GaAs材料提供了科学依据.
- 王占国戴元筠徐寿定杨锡权万寿科孙虹林兰英
- 关键词：热稳定性电学补偿
- Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
- 1981年
- 砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.
- 于鲲孟庆惠李永康吴灵犀陈廷杰徐寿定
- 关键词：光致发光谱汽相外延GAAS
- 变温霍尔实验仪
- 变温霍尔实验仪，属教学科研仪器类。现有的霍尔效应实验仪只能测室温情况下的半导体霍尔系数、电导率、迁移率、载流子浓度等参数。本实用新型的实验仪，采用真空装置和冷却装及恒温器，在77°K—400°K温度区间，对半导体材料的上...
- 于耀川徐寿定范东华胡长有周仁楷李瑞云李平江
- 文献传递
