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徐岩

作品数:9 被引量:4H指数:1
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术生物学医药卫生更多>>

文献类型

  • 4篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇生物学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇淀积
  • 5篇原子层淀积
  • 2篇毒性
  • 2篇心肌
  • 2篇心肌炎
  • 2篇性病
  • 2篇实验性病毒性...
  • 2篇维拉帕米
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇禁带
  • 2篇禁带宽度
  • 2篇肌炎
  • 2篇病毒
  • 2篇病毒性
  • 2篇病毒性心肌炎
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电路
  • 1篇氧化镍
  • 1篇栅极

机构

  • 9篇复旦大学

作者

  • 9篇徐岩
  • 5篇张卫
  • 5篇孙清清
  • 3篇丁士进
  • 2篇陈琳
  • 2篇刘晗
  • 2篇王鹏飞
  • 1篇陈琳
  • 1篇顾晶晶

传媒

  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇复旦学报(自...

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇1993
  • 1篇1992
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种禁带宽度连续可调的高介电常数薄膜材料及其制备方法
本发明属于微电子材料领域,具体公开了一种禁带宽度连续可调的高介电常数(高k)薄膜材料及其制备方法。本发明所述的禁带宽度连续可调的高k薄膜材料组成通式为(Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>)x(Al<S...
徐岩孙清清王鹏飞丁士进张卫
文献传递
原子层淀积高介电常数介质的实验与理论研究
随着微电子技术的不断进步,金属-氧化物-半导体场效应晶体管的尺寸按照“摩尔定律”不断地减小。晶体管尺寸的减小成就了超大规模集成电路成本的骤降和性能的飞跃。近半个世纪的时间里,集成电路芯片中集成的晶体管数目每18个月翻一番...
徐岩
关键词:集成电路原子层淀积第一性原理反应机理
原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征
本文采用原子层淀积(ALD)的方法,以Nb(OEt)5和H2O为反应源,在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明...
徐岩刘晗陈琳孙清清丁士进张卫
关键词:原子层淀积光学特性禁带宽度介质薄膜
文献传递
一种采用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>作为栅极侧墙的方法
本发明公开了一种采用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>作为栅极侧墙的方法。采用原子层淀积工艺,不仅可以控制Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>栅极侧墙的横向尺寸,减小侧墙厚度,而且可...
徐岩孙清清张卫
文献传递
维拉帕米对实验性病毒性心肌炎的影响
徐岩
关键词:病毒心肌炎维拉帕米
维拉帕米对实验性病毒性心肌炎的影响——分子、细胞及整体水平的研究
徐岩
NiO_x阻变存储器性能增强方法及相关机理研究被引量:4
2010年
通过精确控制在Pt衬底上制备NiOx薄膜的工艺过程,制备出阻值窗口增大5倍以上,高低阻态稳定的TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器.研究发现,NiOx薄膜的多晶态结晶结构和化学组分,尤其是Ni元素的化学态,是影响NiOx阻变存储器阻值窗口和稳定性的主要因素.X射线光电子能谱和X射线多晶体衍射测试结果表明,当NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位增多时,Ni2+会被氧化成为Ni3+以保持电中性,Ni3+离子在材料中引入空穴导致P型氧化物NiO的漏电流增大.基于此机理,提出通过提高淀积温度、降低氧气分压的方法抑制NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位的产生,降低TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器关态漏电流,增大阻值窗口.这种基于工艺的性能增强方法,在NiOx阻变存储器实际应用中有良好前景.
顾晶晶陈琳徐岩孙清清丁士进张卫
关键词:氧化镍稳定性
原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究
本文利用先进的原子层淀积技术在Si(100)衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下,样品呈现优良的C-V 特性曲线,以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测...
陈琳孙清清刘晗徐岩王鹏飞张卫
关键词:高K栅介质原子层淀积
文献传递
对上海海关公务员职位分类管理模式的探讨
徐岩
关键词:公务员制度职位分类海关中文
共1页<1>
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