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文珂

作品数:6 被引量:12H指数:3
供职机构:吉林大学化学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇气敏
  • 5篇卟啉
  • 3篇L-B膜
  • 3篇LB膜
  • 2篇气敏元件
  • 2篇N
  • 1篇电阻
  • 1篇新型结构
  • 1篇衍生物
  • 1篇氧化物
  • 1篇湿敏
  • 1篇湿敏特性
  • 1篇配合物
  • 1篇气敏性
  • 1篇气敏性质
  • 1篇卟啉衍生物
  • 1篇卟啉钴
  • 1篇钴配合物
  • 1篇敏感元件
  • 1篇金属

机构

  • 6篇吉林大学

作者

  • 6篇文珂
  • 5篇张彤
  • 5篇孙良彦
  • 5篇顾长志
  • 1篇刘玉文

传媒

  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇应用化学
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
金属卟啉L-B膜气敏元件的实验研究
1994年
传统的金属氧化物气敏元件因存在加热功率高、分散性大等不足之处而不够理想,若以L—B膜作为气敏功能膜就可避免以上缺点,但L—B材料的电导率较低。
顾长志孙良彦张彤文珂曹锡章
关键词:L-B膜气敏元件金属氧化物
电阻式卟啉LB膜NH_3敏感元件
1993年
本文合成了一种新型的钴卟啉LB膜气敏材料(CoTDMAPP),并制成电阻式LB膜气敏元件.对其气敏性的测试表明,该元件只对NH_3敏感,灵敏度高、响应恢复较快、稳定性较好,实现了常温下工作,且功耗低,一致性好.
顾长志孙良彦张彤文珂曹锡章
关键词:LB膜气敏元件卟啉
长碳链季铵类卟啉钴配合物的合成及其LB膜和气敏性质被引量:5
1993年
四-(4-N,N-二甲基氨基苯基)卟啉(TDMAPP)与溴代正十六烷反应得到溴化四-(4-N,N,N-二甲基,十六烷基氨基苯基)卟啉(TDMHAPPBr),并制得其钴的配合物,两者均具有良好的成膜性。电子吸收光谱表明LB膜与成膜前固体物分子排列规整性不同。钴配合物对氨气有较好的敏感性和良好的选择性,其响应和恢复时间都较短。
文珂李朝辉曹锡章顾长志张彤孙良彦
关键词:卟啉LB膜气敏性钴配合物
溴化四-(4-N,N,N-二甲基,正庚烷基氨基苯基)卟啉钴的合成,L-B膜及其气敏、湿敏特性
1993年
卟啉和酞菁是一类大环共轭化合物,由于其结构和性能以及在生命科学中所起的作用,使得用L-B膜技术研究其结构和功能越来越引起人们的重视.自从Jones等发现原卟啉L-B膜具有较好的光导性以来,卟啉L-B膜的电导性和气体敏感特性相继有人进行过研究。
文珂刘玉文曹锡章张彤顾长志孙良彦
关键词:卟啉L-B膜气敏湿敏
两亲性卟啉的合成及其L-B膜被引量:3
1992年
早期L-B膜的研制主要着眼于长碳链脂肪酸及其衍生物。近来,由于对膜性能的特殊要求,人们把注意力转向丁二炔、酞菁和卟啉衍生物。本文用四一(N,N-二甲基氨基苯基)卟啉(TDMAPP)与溴代十六烷反应得到两亲性的含有4个长碳链的澳化四-(4-
文珂曹锡章
关键词:卟啉衍生物L-B膜
一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究被引量:4
1994年
合成了新型的有机半导体LB膜气敏材料(COTDMAPP),其LB多层膜拉制在场效应晶体管上,形成了具有LB-OSFET结构的化学场效应晶体管(ChernFET),该器件置于NO2,NH3,CO和H2S等有害气体中,结果表明在NO2气氛中元件漏电流IDS发生变化,并可检测到2ppm的NO2.这种器件的气敏特性在于FET的电流放大作用及LB膜的有序性的影响.
顾长志孙良彦张彤文珂
关键词:场效应LB膜半导体材料
共1页<1>
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