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方绍华
作品数:
2
被引量:33
H指数:2
供职机构:
浙江大学信息与电子工程学系
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相关领域:
电子电信
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合作作者
何杞鑫
浙江大学信息与电子工程学系
王英
浙江大学信息与电子工程学系
艾俊华
浙江大学
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文献类型
2篇
中文期刊文章
领域
2篇
电子电信
主题
1篇
电平位移
1篇
中高压
1篇
驱动电路
1篇
高压功率器件
1篇
功率
1篇
功率器件
1篇
半桥驱动
1篇
半桥驱动器
1篇
VDMOS
机构
2篇
浙江大学
作者
2篇
方绍华
2篇
何杞鑫
1篇
艾俊华
1篇
王英
传媒
1篇
电力电子技术
1篇
电子器件
年份
1篇
2006
1篇
2005
共
2
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半桥驱动器中高压电平位移电路的研究
被引量:11
2005年
通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性。运用MEDICI器件结构仿真工具对高压器件的结构进行了模拟仿真,达到了600V以上的耐压要求。最后用Hspice对电路进行了功能仿真并给出了实验结果。仿真采用0.6滋mBiCMOS工艺。
艾俊华
何杞鑫
方绍华
关键词:
驱动电路
半桥驱动器
电平位移
高压功率器件
高压功率VDMOS管的设计研制
被引量:22
2006年
随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于理论分析在工艺上成功实现了耐压为500V,导通电流为3A的功率VDMOS器件。
王英
何杞鑫
方绍华
关键词:
VDMOS
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