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方辉

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇电阻温度系数
  • 1篇压电电阻
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇氧化铟锡薄膜
  • 1篇支撑柱
  • 1篇探测器
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇微腔
  • 1篇金属
  • 1篇互连
  • 1篇红外

机构

  • 2篇厦门大学

作者

  • 2篇方辉
  • 1篇何熙
  • 1篇陈松岩
  • 1篇谷丹丹
  • 1篇罗仲梓
  • 1篇李文杰

传媒

  • 2篇厦门大学学报...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究
2008年
基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺，所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度.这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺，对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验.结果表明：当反转烘温度为96-98℃，第一次掩模曝光时间和泛曝光时间分别为8.1 s、8.4 s时，可以得到较好的光刻图形.通过电子束蒸发Ti，成功剥离出高2.40μm、面积3.0μm×3.0μm的Ti微互连柱.此工艺的优点在于分辨率高，胶膜与剥离薄膜的厚度比接近1时，也能剥离出所要图形，可以用于制备MEMS微腔器件中的微互连柱.
何熙陈松岩方辉罗仲梓谷丹丹
氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象
2009年
用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.
李文杰方辉
关键词：氧化铟锡电阻温度系数压电电阻透明导电氧化物
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