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曹先安

作品数：16 被引量：32H指数：4
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 12篇砷化镓
  • 8篇钝化
  • 4篇砷化镓表面
  • 4篇GAAS表面
  • 3篇电子能
  • 3篇电子能谱
  • 3篇钝化膜
  • 3篇硫钝化
  • 3篇光电子能谱
  • 3篇GAS
  • 3篇GAAS
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇多孔硅
  • 2篇砷化镓材料
  • 2篇自体
  • 2篇镓化合物
  • 2篇微波放电
  • 2篇晶片
  • 2篇绝缘

机构

  • 16篇复旦大学
  • 2篇长沙电力学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇东北林业大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 16篇曹先安
  • 16篇侯晓远
  • 16篇丁训民
  • 11篇陈溪滢
  • 4篇王迅
  • 3篇胡海天
  • 3篇李哲深
  • 3篇朱炜
  • 3篇袁泽亮
  • 2篇刘小兵
  • 2篇来冰
  • 2篇熊祖洪
  • 2篇陆尔东
  • 2篇廖良生
  • 2篇何钧
  • 2篇王康林
  • 2篇董阳
  • 1篇袁帅
  • 1篇陈良尧
  • 1篇缪熙月

传媒

  • 6篇Journa...
  • 4篇物理学报
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 7篇1997
  • 1篇1996
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究被引量：3
1997年
本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．
曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远
关键词：砷化镓腐蚀速率
砷化镓表面钝化膜的自体生长方法
一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S<S...
侯晓远陈溪滢曹先安朱炜李喆深丁训民王迅
文献传递
GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法被引量：1
1996年
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．
陈溪滢曹华徐前江王杰朱炜曹先安张甫龙丁训民侯晓远陆明
关键词：砷化镓表面
GaS/GaAs界面电学性质研究被引量：4
1997年
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为１０１２／（ｃｍ２·ｅＶ）．ＤＬＴＳ的测试得到了与其一致的结果．另外，从ＩＶ曲线中漏电流的大小。
陈溪滢丁训民张胜坤张博陆方曹先安朱炜侯晓远
关键词：砷化镓器件
β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱
2000年
在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga
董阳王康林丁训民来冰曹先安侯晓远
关键词：GAAS表面光电子能谱砷化镓
砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长...
曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远王迅
文献传递
S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究被引量：3
1998年
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。
胡海天丁训民袁泽亮李哲深曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：砷化镓钝化
一种简便有效的多孔硅后处理新方法被引量：7
1998年
本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）。
熊祖洪刘小兵廖良生袁帅袁帅周翔何钧丁训民周翔
关键词：多孔硅发光器件光电子集成
砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S<S...
侯晓远陈溪滢曹先安朱炜李喆深丁训民王迅
文献传递
GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
1998年
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。
曹先安胡海天丁训民陈溪滢袁泽亮李哲深侯晓远
关键词：气相淀积砷化镓钝化膜
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共2页<12>
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